类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（V_DS）：300V
　　栅源电压（V_GS）：±20V
　　连续漏极电流（I_D @ 25°C）：10A
　　脉冲漏极电流（I_DM）：40A
　　功耗（P_tot）：150W
　　导通电阻（R_DS(on) @ V_GS=10V）：≤0.65Ω
　　导通电阻（R_DS(on) @ V_GS=5V）：≤0.85Ω
　　阈值电压（V_GS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（C_iss）：约1100pF @ V_DS=25V
　　输出电容（C_oss）：约260pF @ V_DS=25V
　　反向恢复时间（t_rr）：典型值为45ns
　　工作结温范围（T_J）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-247

10N30的高性能体现在其优异的电气特性和结构设计上。首先，其300V的漏源耐压能力使其能够安全地应用于多种中高压直流系统中，例如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和LED驱动电源等。在这些应用中，器件可能面临瞬态过压或浪涌电压，而10N30的高击穿电压提供了足够的安全裕量。其次，该器件在V_GS=10V条件下R_DS(on)低于0.65Ω，这一较低的导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提升了整体能效。对于需要长时间连续工作的设备而言，低导通损耗意味着更少的热量积累，进而减少了散热设计的复杂度与成本。同时，尽管其属于平面型MOSFET而非超结技术产品，但在同类器件中仍表现出较为出色的开关性能。
　　另一个重要特性是其良好的热稳定性。10N30采用标准功率封装如TO-220或TO-247，这些封装具有优良的热传导路径，可将芯片产生的热量高效传递至散热器。在自由空气环境中，其最大功耗可达150W，若配备适当散热条件，可进一步提升持续工作能力。此外，该器件具备较强的抗雪崩能力，能够在非钳位感性负载开关过程中承受一定的能量冲击，增强了系统鲁棒性。从驱动角度看，10N30的栅极电荷（Qg）约为35nC（典型值），属于中等水平，这意味着它既不需要过于强大的驱动电路，也能实现较快的开关速度，适合与常见的PWM控制器或驱动IC配合使用。
　　值得一提的是，10N30的工作温度范围宽广，可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，满足大多数工业与消费类应用的需求。其阈值电压在2.0V到4.0V之间，确保了逻辑电平兼容性，允许使用5V或更高电压的微控制器直接驱动（但推荐使用专用驱动电路以保证完全导通）。此外，器件内部寄生二极管具有一定的反向恢复能力，虽然不如专门的快恢复二极管，但在许多拓扑结构（如反激变换器）中已足够使用。总体来看，10N30凭借其均衡的性能指标、成熟的技术路线和较高的性价比，成为众多中高压开关电源设计中的优选器件之一。

10N30主要应用于各类需要中高电压开关控制的电力电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，它常被用作主开关管，尤其是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥拓扑结构中，用于实现高效的AC-DC或DC-DC电压转换。由于其300V的耐压能力，特别适用于输入电压较高的场合，例如接入整流后市电（约300V DC）的电源模块。在LED照明驱动电源中，10N30可用于恒流控制电路中的功率开关，支持高亮度LED阵列的稳定供电。
　　在逆变器系统中，包括太阳能微型逆变器、车载逆变器和小型UPS设备，10N30可作为H桥或推挽电路中的开关元件，实现直流到交流的电能转换。其快速开关能力和较低的导通损耗有助于提高逆变效率，并减少发热问题。此外，在电机控制应用中，如小功率直流电机或步进电机的驱动电路中，10N30可用于H桥配置，实现电机的正反转与调速功能。得益于其10A的额定电流能力，能够支持中等负载的长期运行。
　　其他应用场景还包括电池管理系统（BMS）中的充放电控制、电焊机电源模块、电磁阀驱动以及各类工业控制设备中的功率切换电路。在这些系统中，10N30不仅承担电流通断任务，还因其较高的可靠性和耐用性而提升了整个系统的稳定性。此外，由于其封装标准化，易于安装与替换，也常被用于教学实验平台和原型开发中，作为学习功率MOSFET特性的典型器件。总的来说，10N30凭借其电压等级、电流能力和综合性能，广泛服务于工业自动化、新能源、消费电子和汽车电子等多个领域。

STP10NK30ZFP
　　FQP10N30
　　IRFBC30
　　SIHF30N