10N120BND 时间：2025/12/29 13:55:58 阅读：15

10N120BND 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流应用。该器件具有较高的击穿电压、低导通电阻以及优异的热稳定性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、逆变器等电力电子系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：10A
　　最大漏源电压：1200V
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.68Ω
　　栅极电压范围：±30V
　　最大功耗：50W
　　封装形式：TO-220、TO-247等
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

10N120BND 是一款专为高电压开关应用设计的功率MOSFET。其高击穿电压（1200V）使其适用于高电压输入的电源转换系统，例如太阳能逆变器、工业电源、马达驱动器等。
　　这款MOSFET采用了先进的平面条状结构和优化的单元设计，使其在高电压条件下仍具有较低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　此外，10N120BND 还具备良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行，增强了其在工业级应用中的可靠性。
　　其封装形式（如TO-220或TO-247）提供了良好的散热能力，同时也便于安装和使用在各种电路板设计中。
　　由于其优异的开关特性和稳定性，10N120BND 适用于需要快速开关操作的场合，例如谐振转换器和软开关拓扑结构中。

应用

10N120BND 主要应用于需要高电压耐受能力和高效能的功率电子设备中。典型应用包括但不限于：高电压DC-DC转换器、交流电机控制、工业电源系统、光伏逆变器、UPS（不间断电源）、LED照明驱动器以及各种开关电源模块。
　　此外，该器件也常用于电力电子变换器、电焊设备、感应加热系统以及电动汽车充电系统中的功率开关部分。
　　由于其良好的开关特性和热稳定性，10N120BND 在高频开关电源中也有广泛应用，能够有效提高系统的转换效率并减小整体体积。
　　在工业控制和自动化系统中，该MOSFET可作为高边或低边开关，用于驱动大功率负载，如继电器、电磁阀和直流电机等。