型号：10N100-LC
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1000V
　　漏极电流（ID）@25°C：10A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值约1.2Ω（具体视测试条件而定）
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值4V~6V
　　最大功耗（PD）：150W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

10N100-LC具备出色的高压阻断能力，其1000V的漏源击穿电压使其能够在极端高压环境中稳定运行，这一特性特别适用于需要直接接入市电整流后高压直流母线的电源拓扑结构，如反激式变换器或LLC谐振转换器。该器件在高温环境下仍能保持良好的电气性能，得益于其优化的晶圆制造工艺，能够有效降低热失控风险。其较低的栅极电荷（Qg）意味着在高频开关应用中所需的驱动功率较小，从而提高了整体系统的能效，并允许使用更小尺寸的驱动芯片。同时，输入电容和输出电容的匹配设计减少了开关过程中的电压电流重叠时间，进一步降低了开关损耗。该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能够在突发的电压过冲事件中吸收一定的能量而不致损坏，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。TO-220封装不仅提供了良好的机械强度，而且便于安装散热片，提升了长期运行的热稳定性。器件内部结构经过优化，减少了寄生参数的影响，从而改善了高频响应特性。此外，10N100-LC在制造过程中遵循严格的品质控制标准，确保批次间参数一致性高，有利于大规模生产中的可制造性和可靠性保障。该器件对静电敏感，因此在储存和焊接过程中需遵循防静电操作规范。其阈值电压处于合理范围内，既避免了因阈值过低导致的误触发问题，也保证了在常规驱动信号下能够可靠导通。综合来看，10N100-LC是一款专为高电压、中等电流开关应用设计的高性能MOSFET，兼顾了耐压、效率与可靠性的平衡。
　　在实际应用中，设计者应注意布局布线以减小寄生电感，尤其是在高速开关路径上，否则可能引发电压振铃甚至造成器件损坏。建议配合使用快速恢复二极管或TVS管进行保护，并在栅极串联适当阻值的电阻以抑制振荡。此外，应根据实际工作电流和散热条件计算结温上升情况，确保不超过最大允许结温150°C。通过合理的热管理设计，10N100-LC可以在持续负载条件下实现长期稳定运行。

10N100-LC主要应用于各类高压开关电源系统，包括但不限于AC-DC适配器、工业用大功率开关电源、LED恒流驱动电源以及通信设备供电模块。在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中，该器件常作为主开关管使用，负责将输入高压直流电周期性地导入变压器初级侧，实现能量传递与电压变换。此外，在DC-DC升压或隔离型转换器中，特别是在输入电压较高或输出功率较大的情况下，10N100-LC也能发挥其高耐压优势。它也被广泛用于电子镇流器、冷阴极荧光灯（CCFL）驱动电路以及小型太阳能微逆变器中，承担高频开关功能。在电机控制领域，尽管其电流承载能力有限，但在某些低压启动、高压运行的小功率电机驱动方案中仍可作为辅助开关元件使用。由于其具备较强的瞬态耐压能力，该器件还可用于浪涌保护电路或高压脉冲发生装置中。在维修替换场景中，10N100-LC常用于替代其他品牌同规格的1000V N沟道MOSFET，前提是参数匹配且封装兼容。考虑到其TO-220封装易于更换和散热设计，非常适合于中小批量生产和维护升级项目。在电磁炉、电焊机等家用或工业电器中，若涉及高压斩波或能量释放控制环节，也可选用该器件构建核心开关单元。总之，凡是需要在接近1000V电压下实现可控导通与关断的应用场合，10N100-LC都是一种可靠且经济的选择。

10N100
　　K10N100
　　FGH10N100