类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220、TO-247等

10H3N MOSFET的核心特性之一是其极低的导通电阻，典型值为3.2毫欧（mΩ），这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的漏源耐压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高压应用场景。其最大连续漏极电流可达110A，具有较强的电流承载能力。
　　此外，10H3N的栅源电压范围为±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，适用于常见的12V或15V驱动电路。其热阻较低，有利于在高功率工作条件下维持较低的结温，从而提升器件的稳定性和寿命。
　　该MOSFET具有快速开关特性，栅极电荷（Qg）较小，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能。同时，其封装形式（如TO-220或TO-247）便于散热设计，适用于需要良好热管理的高功率系统。

10H3N MOSFET主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及高功率负载开关等场合。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，10H3N可作为主功率开关，实现高效的能量转换；在电机驱动系统中，它可以用于控制电机的启停和调速；在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电控制和保护电路。

IRF1405, SiR100N10, FDP10N10