型号：10FZN-RSM2-GAN-ETF(HF)
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　封装/外壳：RSM2
　　配置：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　技术类型：氮化镓（GaN）基整流器
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100 V
　　最大直流阻断电压（VR）：100 V
　　平均整流电流（Io）：10 A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：150 A
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　反向恢复时间（trr）：< 15 ns
　　正向压降（VF @ 10A）：≤ 0.85 V
　　反向漏电流（IR @ 100V, TJ=25°C）：≤ 1 μA
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　是否符合RoHS：是
　　引脚数：4

10FZN-RSM2-GAN-ETF(HF) 的核心特性源于其采用的氮化镓（GaN）半导体材料与先进封装技术的结合，使其在高频整流应用中表现出色。首先，该器件具备极低的正向导通压降（VF），典型值在 0.85V 以下（在 10A 条件下），这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率，尤其在低压大电流输出场合如 CPU 供电、GPU 电源中具有明显优势。其次，其超快的反向恢复时间（trr < 15ns）和极低的反向恢复电荷（Qrr）有效抑制了开关过程中的反向电流尖峰，减少了开关节点的振铃现象，从而降低了电磁干扰（EMI），简化了滤波电路设计，并提升了系统的电磁兼容性（EMC）。
　　该器件的工作结温范围宽达 -55°C 至 +175°C，表明其在极端高低温环境下仍能保持稳定性能，适用于工业级和部分汽车级应用场景。同时，其高达 175°C 的最大结温允许在高温环境中持续运行，配合 RSM2 封装良好的热传导路径，可将芯片热量高效传递至 PCB，实现自然散热或风冷条件下的可靠运行。模块内部集成了热敏元件和保护逻辑，能够在过热或过流情况下自动调节或关闭输出，防止永久性损坏，提升了系统安全性。此外，该器件的表面贴装（SMD）封装形式支持自动化贴片生产，提高了制造效率和一致性，适用于大规模量产。其低寄生电感设计也减少了高频开关时的电压过冲，进一步增强系统鲁棒性。总之，10FZN-RSM2-GAN-ETF(HF) 凭借 GaN 技术带来的高效、高速、高可靠性，成为下一代高功率密度电源系统的关键元器件之一。

10FZN-RSM2-GAN-ETF(HF) 主要应用于对效率、体积和热管理有严苛要求的现代电力电子系统。典型应用包括高频开关模式电源（SMPS），尤其是用于数据中心服务器和通信基站的高效 AC-DC 和 DC-DC 转换器。在这些系统中，该器件常被用作同步整流器或输出整流级，替代传统的硅基肖特基二极管，以实现更高的转换效率和更低的温升。此外，它也广泛用于便携式工业设备、高密度电源模块（如 POL 点负载电源）、LED 驱动电源以及太阳能微逆变器等需要小型化和高效率解决方案的领域。
　　在电动汽车充电基础设施中，该器件可用于车载充电机（OBC）和 DC 快充模块的次级整流部分，凭借其快速恢复特性和低 VF 损耗，有助于提升充电效率并减少散热需求。在工业自动化控制系统中，该器件适用于 PLC 电源单元、电机驱动器辅助电源等场合，确保在复杂电磁环境下的稳定运行。此外，由于其高可靠性与宽温工作能力，也可用于航空航天和军事电子设备中的电源子系统。随着氮化镓技术的普及，10FZN-RSM2-GAN-ETF(HF) 正逐步取代传统硅器件，成为构建绿色节能电源系统的重要组成部分。

10FZP-RSM2-GAN-ETF
　　8FZN-RSM2-GAN-ETF
　　12FZN-RSM2-GAN-ETF