类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：1A
　　峰值浪涌正向电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压降（VF）：@ IF=1A 时典型值 0.48V
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR=30V, Ta=25°C 时最大 0.1mA
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　引脚数：2
　　湿气敏感等级（MSL）：1（无限）
　　封装长度：约2.6mm
　　封装宽度：约1.6mm
　　高度：约1.1mm
　　可焊性：符合JIS C 7031标准
　　可靠性：通过高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）等测试
　　符合标准：RoHS 指令（无铅）、AEC-Q101（车规级可靠性参考）

10FMN-BTK-A(LF)(SN) 肖特基势垒二极管具有优异的电学性能和热稳定性，其核心优势在于低正向导通压降（VF），在1A电流下典型值仅为0.48V，显著低于传统PN结二极管。这一特性使得器件在导通状态下功耗更低，有助于提高整体电源效率，并减少散热需求，特别适用于电池供电或高能效要求的应用场景。
　　该器件采用先进的沟槽型肖特基结构（Trench Schottky Structure），有效抑制了反向漏电流的增加趋势，同时提升了器件的耐压能力和长期可靠性。相比普通平面结构SBD，这种设计在保持低VF的同时改善了IR与VF之间的权衡关系，使器件在高温环境下仍能稳定运行。
　　10FMN-BTK-A(LF)(SN) 具备极快的开关速度，由于肖特基势垒的多数载流子导电机制，不存在少数载流子存储效应，因此反向恢复时间（trr）极短，通常小于10ns，几乎无反向恢复电荷（Qrr）。这使其非常适合用于高频开关电路，如DC-DC变换器、同步整流副边续流、开关电源输出整流等场合，可大幅降低开关噪声和电磁干扰（EMI）。
　　该器件封装为SOD-123FL，是一种超小型塑料封装，具有良好的热传导性能和机械强度。其外形尺寸紧凑（约2.6×1.6×1.1mm），非常适合高密度PCB布局和便携式设备使用。此外，该封装支持回流焊工艺，满足现代SMT生产线的需求，并具备优良的可焊性和焊接可靠性。
　　产品符合RoHS环保规范，不含铅（Pb），且通过多项可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温高湿反向偏置（H3TRB）等，确保在严苛环境下的长期稳定性。虽然未明确标注为汽车级产品，但其制造工艺和测试标准接近AEC-Q101要求，可用于部分车载辅助电源系统。

10FMN-BTK-A(LF)(SN) 主要应用于需要高效、小体积、快速响应的低压整流与续流场景。常见用途包括便携式消费类电子产品中的DC-DC转换器，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等设备的电源管理模块，用于升压或降压电路中的续流二极管或整流元件。
　　在电源适配器、充电器、USB PD快充模块中，该器件可用作次级侧整流二极管，替代传统快恢复二极管以提升转换效率并降低温升。其低VF特性尤其适合5V或3.3V输出系统，在轻载和满载条件下均能保持较高能效。
　　此外，该二极管广泛用于主板、显卡、路由器等设备的电压调节模块（VRM）中，作为MOSFET开关的续流路径，防止反向电压冲击，保护主控芯片。由于其快速响应能力，也能有效抑制因开关瞬态引起的电压尖峰，提升系统稳定性。
　　在电池管理系统（BMS）和负载切换电路中，10FMN-BTK-A(LF)(SN) 可用于防止电池反接或实现多电源路径选择，提供单向导通功能。其低功耗特性减少了待机状态下的能量损耗，延长了设备续航时间。
　　工业控制、传感器模块、LED驱动电源等领域也常采用此类小型化肖特基二极管进行防反接保护或能量回馈路径构建。得益于其高可靠性和SMT兼容性，该器件适用于自动化批量生产，广泛服务于消费电子、通信、工业及部分车载电子市场。

RB751S-30\nSS12\nMBR120VLSFT1G\nPMES201B,115\nB130WA