型号：10FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN)
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装类型：SC-75（SOT-457）
　　引脚数：5
　　配置：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大平均正向整流电流（IO）：100mA
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压（VF）：0.51V @ 10mA, 0.68V @ 100mA
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 25°C, 30V
　　反向恢复时间（trr）：典型值4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　湿度敏感等级（MSL）：MSL 1（<30°C, 85%RH）
　　符合标准：RoHS、无卤素、AEC-Q101（部分等级）

10FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN) 采用先进的平面工艺制造，具备低正向导通压降（VF），在10mA电流下典型值仅为0.51V，显著降低了功率损耗，提高了系统能效。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。其肖特基势垒结构决定了它没有少数载流子的存储效应，因此具备极快的开关速度，反向恢复时间（trr）典型值仅4ns，远优于传统PN结二极管，非常适合用于高频开关电源和高速信号处理电路。
　　该器件采用双共阴极配置，两个二极管共享一个阴极引脚，这种结构常用于全波整流或双路信号钳位，简化了PCB布局并节省空间。SC-75封装尺寸仅为2.0mm × 1.25mm × 1.0mm，属于超小型封装，非常适合高密度贴装需求。此外，该封装具有良好的热传导性能，能够有效将工作热量传递至PCB，提升长期可靠性。
　　10FMN-BMTTR-A-TB系列具有出色的反向击穿电压稳定性，在高温环境下仍能保持较低的漏电流，25°C时最大反向漏电流仅为0.1μA，在125°C时也控制在10μA以内，确保在恶劣条件下不会因漏电增加而导致系统异常。器件还具备较强的抗浪涌能力，可承受最高500mA的非重复峰值电流，增强了在瞬态负载变化中的鲁棒性。
　　该产品在生产过程中严格遵循无铅焊接工艺，并通过了JEDEC标准的可靠性测试，包括高温高湿偏置、温度循环、高压蒸煮等，确保在复杂环境下的长期稳定性。其卷带包装（Tape & Reel）形式便于SMT贴片机自动取放，提升了大规模生产的效率与良率。

10FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN) 广泛应用于各类消费类电子、工业控制和汽车电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电源路径切换与反接保护，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池充电管理模块，利用其低VF特性减少能量损耗。在DC-DC转换器中，该二极管常被用作同步整流的辅助钳位元件或防止反向电流流动，提升转换效率。
　　在信号处理电路中，该器件可用于高速信号的整形与钳位，例如在USB接口、I2C总线或GPIO线路中提供静电放电（ESD）保护和电压箝位功能。其快速响应能力使其能够有效抑制瞬态过压，保护后级敏感IC。此外，在LCD背光驱动电路中，该双二极管可用于LED串的防倒灌保护，防止关闭状态下电流回流导致的误点亮或功耗增加。
　　在汽车电子领域，该器件适用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和传感器接口电路，特别是在12V或24V电源系统中实现电压隔离与极性保护。由于其AEC-Q101认证背景，可在发动机舱外的中等温度环境中稳定运行。此外，该器件也适用于工业传感器、智能仪表和无线通信模块中的电源管理单元，提供高效、可靠的二极管解决方案。

RB754S-40
　　MBR0140T1G
　　BAT54C
　　BAS40-04W
　　SMS7621