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10CTQ150STRRPBF 发布时间 时间:2025/12/26 19:39:31 查看 阅读:19

10CTQ150STRRPBF 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基势垒二极管阵列,采用中心抽头配置,专为高频、高效率整流应用设计,广泛用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC 转换器和二次侧整流电路中。该器件采用先进的平面技术制造,具备低正向压降和快速反向恢复特性,能有效降低导通损耗并提升系统整体能效。其封装形式为 TO-277A(也称为 D-Pak),具有良好的热性能和机械稳定性,适合表面贴装工艺,便于自动化生产。
  该器件的“10CT”系列命名表明其为 10 安培中心抽头肖特基二极管,“Q”代表双二极管共阴极结构,“150”表示最大重复峰值反向电压为 150V。“STRR”后缀指超快软恢复特性,有助于减少电磁干扰(EMI),而“PBF”表示符合 RoHS 指令的无铅环保型号。10CTQ150STRRPBF 特别适用于需要高电流密度和紧凑布局的电源系统,在工业电源、电信设备和消费类电子产品中均有广泛应用。

参数

类型:中心抽头肖特基二极管
  配置:双二极管共阴极
  最大重复峰值反向电压(VRRM):150V
  平均整流电流(IO):10A
  峰值浪涌电流(IFSM):150A
  正向压降(VF):典型值 0.52V(在 5A, 25°C 条件下)
  最大正向压降(VF):0.6V(在 10A, 25°C 条件下)
  反向漏电流(IR):最大 1.0mA(在 150V, 125°C 条件下)
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +175°C
  封装:TO-277A(D-Pak)
  安装类型:表面贴装

特性

10CTQ150STRRPBF 的核心优势在于其卓越的电学性能与热稳定性结合,特别适合高功率密度电源设计。其采用的肖特基势垒技术实现了极低的正向导通压降,显著减少了导通期间的能量损耗,从而提升了电源转换效率,尤其在低压大电流输出的 DC-DC 变换器中表现突出。该器件的正向压降在 10A 电流下不超过 0.6V,远低于传统硅 PN 结二极管,这使得其在满载运行时发热量更小,有助于简化散热设计并提高系统可靠性。
  该器件具备优异的动态响应能力,尽管肖特基二极管本身不具备传统的 P-N 结反向恢复过程,但“STRR”后缀表明其在结构优化上进一步抑制了反向电流尖峰和软恢复行为,从而降低了开关噪声和 EMI 干扰,这对高频开关电源尤为重要。此外,其高达 175°C 的最大结温允许器件在高温环境下稳定运行,增强了在恶劣工况下的耐受能力。
  从结构上看,中心抽头配置使该器件非常适合全波整流拓扑,仅需单个元件即可替代两个独立二极管,节省 PCB 面积并简化布局布线。TO-277A 封装不仅支持表面贴装自动化生产,还具备良好的热传导路径,可通过 PCB 散热焊盘将热量有效传递至主板,提升功率处理能力。该器件符合 AEC-Q101 汽车级认证标准,适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。同时,其无铅环保设计满足现代电子产品对环境友好材料的需求,符合 RoHS 和 REACH 法规要求。

应用

10CTQ150STRRPBF 主要应用于各类高效率开关电源系统中,特别是在二次侧整流环节发挥关键作用。典型应用场景包括隔离式 DC-DC 转换器、同步整流替代方案、服务器电源模块、电信整流器以及工业控制电源单元。由于其高电流承载能力和低正向压降特性,该器件常被用于 12V 或 24V 输出的多相整流电路中,作为全波整流的核心元件,实现高效能量转换。
  在通信基站电源、路由器和交换机的供电模块中,10CTQ150STRRPBF 能够在高频工作条件下保持低损耗运行,有助于提升系统整体能效等级。此外,它也广泛用于消费类电子产品如高端台式机电源、游戏主机电源适配器以及 LED 驱动电源中,尤其是在追求小型化和高功率密度的设计中表现出色。
  由于其具备汽车级可靠性认证,该器件还可用于车载信息娱乐系统、车载充电器(OBC)辅助电源以及车身控制模块中的 DC-DC 转换器。在新能源汽车和电动汽车充电桩的辅助电源设计中,10CTQ150STRRPBF 凭借其高温稳定性和长期可靠性,成为工程师优选的整流解决方案之一。此外,工业电机驱动、PLC 控制器和 UPS 不间断电源系统也是其重要应用领域。

替代型号

STPS10H150CT
  MBR10H150
  VS-10CTQ150-M3

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