型号：10BQ040
　　制造商：ON Semiconductor
　　器件类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复反向电压 VRRM：40V
　　最大直流阻断电压 VR：40V
　　最大平均正向整流电流 IF(AV)：10A
　　峰值正向浪涌电流 IFSM：200A（单个半周期正弦波，60Hz）
　　最大正向压降 VF：0.54V @ 10A, 125°C
　　最大反向漏电流 IR：0.5mA @ 40V, 25°C；10mA @ 40V, 125°C
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围 TSTG：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DPAK（TO-252AA）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　极性：共阴极
　　热阻 RθJC：1.25°C/W
　　引脚数：3
　　是否符合RoHS：是
　　是否无卤素：是

10BQ040的核心优势在于其低正向压降特性，在10A的工作电流下，典型正向压降仅为0.54V，即使在高温125°C条件下仍能保持较低水平。这一特性直接降低了导通期间的能量损耗，提高了电源转换效率，特别适用于大电流、低电压输出的电源拓扑结构，如用于CPU供电的多相VRM（电压调节模块）。相比传统的PN结二极管，肖特基势垒结构从根本上消除了少数载流子的储存效应，因此具备极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间（trr），这不仅提升了高频工作的可行性，还减少了开关过程中的能量损耗和噪声产生。
　　该器件采用双共阴极设计，使得两个二极管共享同一个阴极引脚，优化了PCB布局布线，减少了寄生电感的影响，有利于实现更紧凑高效的电路设计。DPAK封装提供了优良的热传导路径，允许器件在高功率密度环境下稳定运行，同时支持自动回流焊工艺，适合大规模自动化生产。其高达200A的非重复浪涌电流承受能力也增强了系统在异常工况下的鲁棒性，例如电源启动瞬间的大电流冲击或负载突变情况。此外，10BQ040在高温下的反向漏电流控制良好，虽然随温度上升有所增加，但在正常工作范围内仍处于可接受水平，确保长期运行的可靠性。
　　在电磁兼容性方面，由于没有明显的反向恢复电流尖峰，10BQ040有助于减少高频噪声的产生，降低对周边电路的干扰，从而简化滤波电路设计并提升系统整体EMI性能。该器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环等试验，保证在严苛环境下的长期稳定性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其不仅适用于常规商业环境，也可用于部分工业和汽车应用场景，尤其是在发动机舱附近或封闭高热环境中依然能够可靠工作。

10BQ040广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电源系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，特别是在低压大电流输出的AC-DC适配器和DC-DC转换器中，利用其低VF特性显著提升转换效率。在同步整流架构尚未普及或成本受限的情况下，10BQ040提供了一种高性价比的替代方案。它也常用于电池充电管理电路中，作为防反接和能量回馈路径的控制元件，防止电池反向放电或外部短路造成的损害。
　　在电机驱动和逆变器系统中，10BQ040可用于续流（飞轮）二极管，为感性负载（如继电器线圈、电机绕组）提供安全的电流泄放路径，避免因突然关断产生的高压击穿主开关器件。此外，在服务器电源、网络通信设备和嵌入式控制系统中，该器件被用于电压钳位和瞬态抑制，保护敏感IC免受电压过冲影响。在太阳能微逆变器或LED驱动电源中，10BQ040也能发挥其高频特性优势，提高系统功率密度和光效表现。由于其良好的热性能和表面贴装特性，非常适合用于空间受限但散热需求较高的紧凑型电源模块设计中。

MBR1040CTG
　　SB1040
　　SS1040