10BQ015 时间：2025/12/26 18:29:59 阅读：11

10BQ015是一款由ONSEMI（安森美）生产的肖特基二极管阵列器件，具体为双肖特基二极管，采用共阴极配置。该器件广泛应用于需要高效、低功耗整流的电源系统中，特别是在开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器以及反向电压保护电路中表现出色。10BQ015的设计目标是提供较低的正向压降和快速的反向恢复时间，从而提高整体能效并减少热损耗。其封装形式通常为TO-220AB或类似的大功率塑料封装，具备良好的散热性能，适合在较高电流负载条件下工作。该器件的命名中，“10”代表最大重复峰值反向电压为100V，“BQ”表示其为肖特基二极管系列，“015”则表明其平均整流电流为1.5A。由于肖特基二极管的固有特性，10BQ015不适用于高反向电压场合（一般不超过100V），但在低压大电流应用中具有显著优势。

参数

类型：双肖特基二极管（共阴极）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大平均整流电流（IO）：1.5A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A（单个半正弦波，8.3ms）
　　最大正向电压（VF）：0.57V @ 1A, 25°C（典型值），0.62V @ 1A, 125°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 25°C, 100V；10mA @ 125°C, 100V
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻结到外壳（RθJC）：3.0 °C/W
　　封装类型：TO-220AB

特性

10BQ015的核心特性之一是其低正向导通压降，这是肖特基二极管区别于传统PN结二极管的关键优势。在正常工作条件下，其正向压降仅为0.57V左右（在1A、25°C时），这意味着在相同电流下，其导通损耗远低于普通硅二极管（通常为0.7V以上）。这种低VF特性使得10BQ015在高效率电源设计中极为重要，尤其是在DC-DC降压或升压转换器的续流和整流路径中，能够显著降低能量损耗，提升系统整体效率。此外，在高温环境下（如125°C），其正向压降仅略微上升至0.62V，表现出良好的热稳定性。
　　另一个关键特性是其快速的开关响应能力。由于肖特基二极管基于金属-半导体结而非P-N结，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计（通常小于10ns）。这一特性使其非常适合高频开关应用，例如在数十kHz至数百kHz频率工作的开关电源中，可有效避免因反向恢复电流引起的尖峰和电磁干扰（EMI），从而简化滤波设计并提升系统可靠性。此外，10BQ015采用共阴极双二极管结构，允许两个独立的整流通道共享同一阴极连接，适用于全波整流或双路输出电源拓扑。
　　该器件还具备较高的浪涌电流承受能力，额定峰值正向浪涌电流可达50A（8.3ms半正弦波），能够在电源启动或瞬态过载情况下提供一定的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-65°C至+175°C）和良好的热阻性能（RθJC = 3.0°C/W）使其适用于严苛的工业和汽车环境。TO-220AB封装不仅提供了良好的机械强度，还便于安装散热片以进一步增强散热能力，确保在持续高负载下稳定运行。

应用

10BQ015广泛应用于各类中低电压、中等电流的电源系统中。最常见的应用场景是作为开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管，特别是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和推挽式（Push-Pull）拓扑结构中，用于将高频交流电压转换为直流电压。由于其低正向压降和快速响应特性，它在DC-DC转换器中也常被用作续流二极管（Freewheeling Diode）或同步整流的辅助元件，帮助提高转换效率并减少发热。此外，该器件适用于电池充电电路、便携式电子设备电源模块以及LED驱动电源等对能效要求较高的场合。
　　在工业控制和自动化系统中，10BQ015可用于电源极性反接保护电路，利用其单向导通特性防止因电源接反而损坏敏感电子元件。在太阳能充电控制器中，它可作为防逆流二极管，阻止电池在夜间向光伏板反向放电。同时，由于其较高的浪涌耐受能力和宽温工作范围，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、DC-DC变换器和车身控制模块中的电源管理单元。此外，在通信设备、网络路由器和服务器电源模块中，10BQ015因其可靠性和效率表现而被广泛采用。其TO-220封装形式便于手工焊接和自动化装配，适合多种生产流程。