型号：10BF60
　　封装类型：TO-220AB
　　二极管配置：双共阴极
　　最大反向重复峰值电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　最大RMS电压（VRMS）：42V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：10A（单路）
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：150A（@8.3ms半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：0.52V @ 5A, 0.57V @ 10A（每条支路）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 25°C, 1.0mA @ 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJC）：约2.0°C/W
　　引脚数：3

10BF60的核心优势在于其低正向导通压降和优异的开关性能。该器件采用肖特基势垒结构，利用金属-半导体接触形成势垒，从而避免了传统PN结二极管中存在的少数载流子存储效应，显著缩短了反向恢复时间。这一特性使其在高频开关电源中表现出色，能够有效降低开关损耗，提高整体电源转换效率。在典型工作条件下，当通过10A电流时，其正向压降仅为0.57V左右，远低于普通快恢复二极管，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。
　　该器件设计为双共阴极结构，即两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极引脚，这种配置特别适用于全波整流或同步整流拓扑中的输出整流阶段。例如，在LLC谐振变换器或Buck/Boost电路中，双共阴极结构可以简化PCB布局，减少寄生电感，并提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。此外，由于两个二极管集成在一个封装内，有助于节省空间并提高功率密度，尤其适合紧凑型高效率电源设计。
　　10BF60具备良好的热稳定性和长期可靠性。其TO-220AB封装具有较低的热阻（约2.0°C/W），能够有效地将内部产生的热量传导至散热器，确保器件在高负载条件下仍能保持安全的工作结温。同时，该器件可在-65°C至+150°C的宽结温范围内正常工作，适应严苛的工业环境。其最大非重复浪涌电流可达150A，表明其具备较强的抗瞬态过流能力，能够在电源启动或异常工况下提供一定的保护作用。
　　从制造工艺上看，10BF60采用先进的平面扩散技术和银浆烧结工艺，增强了芯片与底座之间的连接强度和导热性能。外引线通常采用铜框架镀锡处理，保证良好的焊接性和耐腐蚀性。器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）、温度循环（TC）等，确保在各种应用场景下的长期稳定性。此外，产品符合RoHS指令要求，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色电子制造的需求。

10BF60广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高效整流和低损耗设计的场合。典型应用包括AC-DC开关电源的次级整流电路，用于将高频变压器输出的交流电压转换为稳定的直流电压。由于其低VF特性和快速响应能力，非常适合用于笔记本电脑适配器、LCD电视电源、LED驱动电源以及小型服务器电源等消费类和工业类电源产品。
　　在DC-DC转换器中，10BF60常被用作同步整流替代方案或作为续流二极管，特别是在非隔离式拓扑如Buck、Boost和Buck-Boost电路中。其双共阴极结构允许在双路输出或多相整流系统中实现对称布局，优化电流分配并减少环路面积，从而降低电磁干扰（EMI）。此外，在电池充电管理系统（BMS）和太阳能逆变器中，该器件可用于防止反向电流流动，保护主电路免受反接或倒灌影响。
　　工业自动化设备、通信基站电源模块、UPS不间断电源系统也大量采用此类高性能肖特基二极管。由于这些系统对能效、体积和可靠性有较高要求，10BF60凭借其高电流承载能力和稳定的热性能成为理想选择。此外，在电机驱动器和逆变器的钳位电路中，它可用于吸收感性负载产生的反电动势，起到保护开关器件的作用。总之，凡是涉及低压大电流整流、高频开关和节能设计的应用场景，10BF60都能发挥重要作用。

MBR1060CT
　　SB1060
　　SR1060