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10AS027E2F27E1SG 发布时间 时间:2025/5/12 13:28:54 查看 阅读:6

10AS027E2F27E1SG是安森美(ON Semiconductor)推出的高速、低功耗双极性晶体管阵列。该器件专为高密度逻辑电路设计,采用SOIC封装形式,适合于各种工业和消费类应用。这种晶体管阵列因其优异的开关特性和稳定性,在复杂电路中表现出色。

参数

型号:10AS027E2F27E1SG
  制造商:安森美(ON Semiconductor)
  封装类型:SOIC-16
  工作电压:5V
  集电极电流:20mA
  发射极电流:20mA
  最大功率耗散:380mW
  存储温度范围:-65℃至150℃
  工作温度范围:-40℃至85℃
  传播延迟时间:9ns
  上升时间:3ns
  下降时间:3ns

特性

10AS027E2F27E1SG是一款双极性晶体管阵列,具有以下显著特性:
  1. 高速性能:其传播延迟时间仅为9ns,非常适合需要快速响应的应用场景。
  2. 低功耗设计:该器件在保证高性能的同时,能够有效降低能耗,适合便携式设备。
  3. 稳定性强:能够在较宽的工作温度范围内保持稳定运行。
  4. 多通道设计:支持多路信号处理,简化了复杂电路的设计过程。
  5. 小型化封装:采用SOIC-16封装,节省空间,满足现代电子设备小型化需求。
  6. 广泛兼容:适用于多种类型的数字和模拟信号处理电路。

应用

10AS027E2F27E1SG广泛应用于以下领域:
  1. 工业控制:如PLC控制器中的逻辑电路设计。
  2. 消费电子产品:例如电视、音响等设备中的信号处理部分。
  3. 计算机外设:打印机、扫描仪等设备中的数据传输与处理。
  4. 通信设备:网络交换机、路由器中的信号放大与切换。
  5. 测试测量仪器:示波器、信号发生器等设备中的高速信号处理模块。
  6. 安防系统:监控摄像头、报警系统中的图像与数据处理部分。

替代型号

10AS027G, 10AS027E2F27E1S

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