时间：2025/12/27 17:47:34
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108CKS035M是一款由Vishay Siliconix公司生产的表面贴装型N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等高效率、高频开关场合。该器件采用先进的TrenchFET技术，能够在低电压应用中实现极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，从而显著降低传导损耗和整体系统功耗。其封装形式为PowerPAK SO-8L，具备优良的热性能和较小的占板面积，适合对空间要求严格的便携式电子设备设计。
该MOSFET的栅极阈值电压较低，能够兼容3.3V或5V逻辑电平驱动，适用于现代低电压控制电路。此外，器件具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性。内部结构优化减少了寄生电容和电感，有助于提升高频工作时的效率并减少电磁干扰（EMI）。
108CKS035M还具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于工业级温度范围（-55°C至+150°C）。其符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于其高性能与小型化特点，该器件常被用于笔记本电脑、平板电脑、通信设备、消费类电源模块及电池管理系统中。
型号：108CKS035M
类型：N沟道MOSFET
封装：PowerPAK SO-8L
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：18A
脉冲漏极电流（IDM）：72A
导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：3.5mΩ
导通电阻（RDS(on)）@2.5V VGS：4.8mΩ
栅极电荷（Qg）@4.5V：9nC
输入电容（Ciss）：920pF
反向恢复时间（trr）：16ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
热阻结到外壳（RθJC）：1.5°C/W
热阻结到环境（RθJA）：40°C/W
108CKS035M采用Vishay先进的TrenchFET工艺制造，这种垂直沟槽结构使得单位面积内可集成更多的沟道，从而大幅降低导通电阻。其在4.5V栅极驱动下RDS(on)仅为3.5mΩ，即便在2.5V低电压驱动条件下也能维持4.8mΩ的低阻值，确保在低压、大电流应用场景中实现高效能量传输。该特性使其特别适用于同步整流、多相降压变换器等对效率极为敏感的设计。
器件具有极低的栅极电荷（Qg = 9nC），这直接降低了开关过程中的驱动损耗，提升了整体转换效率，尤其是在高频开关电源中表现突出。同时，输入电容（Ciss）为920pF，反向恢复时间（trr）仅16ns，表明其体二极管具有快速恢复能力，有效减少开关瞬间的反向电流尖峰，降低电磁干扰并防止交叉导通现象。
PowerPAK SO-8L封装无引脚设计不仅减小了寄生电感，还提高了散热效率。底部裸露焊盘可直接连接PCB地层，实现高效的热传导路径，结到外壳热阻低至1.5°C/W，有助于长时间高负载运行下的温度控制。
该MOSFET具备优秀的抗雪崩能力和稳健的栅氧化层设计，能承受一定程度的电压应力冲击，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。此外，器件经过严格的老化测试和可靠性验证，确保批量使用中的一致性和长期稳定性，适用于严苛的工业与汽车电子环境。
108CKS035M凭借其低导通电阻、高电流承载能力和紧凑封装，广泛应用于各类高效电源系统中。在笔记本电脑和超极本的主板上，常作为CPU供电多相VRM（电压调节模块）中的上下桥臂开关管，配合控制器实现精确稳压输出，满足动态负载变化需求。
在DC-DC降压变换器中，该器件可用于同步整流拓扑，替代传统肖特基二极管以减少功耗，提高整体转换效率，特别是在12V转5V、3.3V或更低电压的中间总线转换器中表现出色。其快速开关特性也使其适用于LED背光驱动电路中的恒流控制开关。
在电池供电设备如移动电源、手持仪器和无人机中，108CKS035M可用作负载开关或电源路径管理单元，实现电池充放电通路的通断控制，同时利用其低RDS(on)减少待机损耗，延长续航时间。
此外，该器件还适用于电机驱动电路，例如微型直流电机或步进电机的H桥驱动模块，能够承受频繁启停带来的电流冲击，并提供可靠的导通路径。在服务器电源、通信基站电源模块以及工业PLC控制系统中，也被用于辅助电源或隔离电源的同步整流环节，提升系统能效等级。
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"SiR144DP",
"IRLHS6296",
"AOZ5231EQI",
"FDMS7680S"
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