时间：2025/12/27 17:34:55
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107RSS025M是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装硅肖特基势垒二极管阵列，采用SOT-23封装。该器件集成了两个独立的肖特基二极管，采用共阴极配置，适用于高频、低压应用场合。由于其低正向导通电压和快速反向恢复特性，107RSS025M广泛用于电源整流、信号解调、极性保护以及输入输出接口的箝位电路中。该器件符合RoHS指令要求，并具有无卤素版本可选，适合现代绿色电子产品制造需求。其小型化封装设计使其非常适合空间受限的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及各种消费类电子产品。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，在工业控制、通信模块和数据线路保护等应用场景中也表现出色。
产品类型：肖特基二极管阵列
配置：双二极管共阴极
封装/外壳：SOT-23
最大重复反向电压（VRRM）：25V
最大直流阻断电压（VR）：25V
最大平均整流电流（IO）：200mA
峰值浪涌电流（IFSM）：0.5A
最大正向电压（VF）：450mV @ 10mA，650mV @ 100mA
最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 25V，25°C；10μA @ 25V，125°C
反向恢复时间（trr）：< 4ns
工作结温范围：-55°C 至 +125°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
焊接温度（再流焊）：260°C，40秒
引脚数：3
极性：共阴极
湿度敏感等级（MSL）：1级（<=30°C/85%RH）
107RSS025M的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，该技术利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低正向导通压降。在典型工作条件下，当通过10mA电流时，其正向压降仅为450mV左右，远低于普通硅二极管的约700mV。这一特性不仅提高了电源转换效率，减少了能量损耗，还降低了系统发热，对于电池供电设备尤为重要。
该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间小于4纳秒，这意味着它能够在高频开关电路中迅速响应电压极性的变化，避免因载流子存储效应导致的开关损耗和电磁干扰问题。因此，107RSS025M特别适用于高频整流、高速信号处理和脉冲电路中。其双二极管共阴极结构允许在单个封装内实现对称或非对称的电路设计，例如用于差分信号的箝位保护或双通道DC-DC转换器的同步整流辅助功能。
在可靠性方面，107RSS025M经过严格的质量控制流程，确保在宽温度范围内（-55°C至+125°C）保持稳定的电气性能。高温下的最大反向漏电流被限制在10μA以内，保证了在恶劣环境中的低功耗和高稳定性。其SOT-23封装不仅体积小巧（约2.9mm x 1.3mm x 1.1mm），而且具有良好的散热性能和机械强度，支持自动化贴片生产，提升制造效率。
此外，该器件通过AEC-Q101汽车级可靠性认证的可能性较高（需查证具体批次），使其也可应用于车载电子系统中，如传感器接口、LED驱动和CAN总线保护等场景。其无铅镀层和符合RoHS与REACH环保标准的设计，满足全球市场对绿色环保电子产品的要求。整体而言，107RSS025M是一款高性能、高可靠性的表面贴装肖特基二极管阵列，适用于多种中低功率电子系统中的关键保护与整流任务。
107RSS025M广泛应用于各类需要高效、快速开关响应的小信号与低功率电路中。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机，常用于电池充电路径的防反接保护、USB接口的电压箝位以及电源管理单元中的电平移位电路。其低正向压降有助于延长电池续航时间，同时快速响应能力可有效抑制瞬态过电压对敏感IC的损害。
在通信与数据接口领域，该器件可用于RS-232、I2C、SPI等数字信号线的静电放电（ESD）保护和信号整形。共阴极双二极管结构可以方便地构建双向TVS保护网络，吸收来自数据线的瞬态能量，防止MCU或通信芯片受损。此外，在开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，107RSS025M可作为次级侧的同步整流辅助二极管或反馈回路中的隔离元件，提升整体转换效率。
工业控制系统中，该器件常用于PLC输入模块的信号调理电路、传感器信号的钳位保护以及继电器驱动电路的续流保护。其高温稳定性和长期可靠性确保设备在严苛环境下持续运行。在汽车电子中，可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和照明控制单元中的电源轨保护。
此外，107RSS025M也适用于测试测量仪器、医疗电子设备和物联网终端节点等对尺寸和功耗有严格要求的应用场景。其SOT-23封装便于PCB布局优化，减少寄生电感和电容，提升高频性能。总之，该器件凭借其小型化、高效能和高可靠性的特点，成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。
BAS40-02W, PMEG2005EH, RB520S-40, MMBD914
