时间：2025/12/27 18:16:20
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105MPR400K是一款由Vishay Siliconix生产的P沟道增强型MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及DC-DC转换电路中。该器件采用先进的沟道技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。其封装形式为TO-252（D-Pak），适合表面贴装，便于在紧凑型电路板上进行高密度布局。105MPR400K的设计目标是在低电压应用中提供高效的功率控制能力，尤其适用于需要低静态功耗和高可靠性的便携式电子设备。该MOSFET的栅极阈值电压较低，允许使用逻辑电平信号直接驱动，从而简化了驱动电路设计。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层结构，能够在瞬态过压和反向电流等恶劣工作条件下保持稳定运行。由于其优异的电气性能和可靠性，105MPR400K被广泛用于工业控制、消费类电子产品、通信设备和汽车电子等领域。
型号：105MPR400K
类型：P沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-7.5A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流（ IDM）：-30A
最大功耗（PD）：50W（Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：38mΩ（@ VGS = -10V, ID = -7.5A）
导通电阻（RDS(on)）：48mΩ（@ VGS = -4.5V, ID = -6A）
栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
输入电容（Ciss）：920pF（@ VDS = -20V）
开关时间（开启时间）：24ns
开关时间（关闭时间）：48ns
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装：TO-252 (D-Pak)
105MPR400K具备出色的导通性能和开关效率，其低导通电阻特性显著降低了在高电流条件下的功率损耗，提高了系统的整体能效。
该器件的RDS(on)在-10V和-4.5V的栅极驱动电压下均保持较低水平，使其兼容多种常见的电源电压等级，包括3.3V、5V和12V逻辑系统，适用于广泛的数字控制应用场景。
得益于优化的晶圆制造工艺，该MOSFET具有高度一致的电气参数和稳定的温度特性，在高温环境下仍能维持可靠的性能表现。
其快速的开关响应时间（开启约24ns，关闭约48ns）有助于减少开关过程中的能量损耗，特别适合高频开关电源和同步整流电路。
器件内部集成了体二极管，具备一定的反向电流承载能力，可在感性负载切换时提供必要的续流路径，提升系统安全性。
105MPR400K还具备优良的热阻特性，通过TO-252封装可有效将热量传导至PCB，配合适当的散热设计可实现长时间稳定运行。
该MOSFET对静电放电（ESD）具有较强的耐受能力，内置保护机制可防止栅极因瞬态高压而损坏，增强了现场使用的鲁棒性。
此外，产品符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。
105MPR400K常用于各类需要高效功率开关控制的场合，典型应用包括直流电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑结构，利用其快速响应和低损耗特性实现精确的速度与方向控制。
在电池供电设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，该器件可用作负载开关或电源路径控制器，实现电池充放电管理及系统待机模式下的零功耗断开功能。
它也广泛应用于DC-DC降压变换器（Buck Converter）中作为高端或低端开关元件，配合控制器实现高效的电压调节，尤其适用于输出电流较大的应用场景。
在工业自动化系统中，105MPR400K可用于继电器替代方案、固态开关模块或PLC输出驱动单元，提供无触点、长寿命的电力控制解决方案。
此外，该器件还可用于LED驱动电源、热插拔控制器、USB电源开关以及各种过流保护电路中，凭借其高可靠性和紧凑封装优势，成为众多工程师的首选功率MOSFET之一。
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"SI7456DP-T1-E3",
"AO4407",
"FDD8858",
"IRF9Z24NPBF",
"NTD4906N"
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