时间：2025/9/9 15:13:25
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104CDMCCDS-150MC 是由 Vishay Siliconix 制造的一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换应用。该器件采用先进的 TrenchFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关以及电机控制等应用。该器件采用 TO-252（D-Pak）封装，便于散热和 PCB 安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：10A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大85mΩ（在Vgs=10V）
功耗(Pd)：1.25W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（D-Pak）
104CDMCCDS-150MC 采用 Vishay 的 TrenchFET 技术，使其在同类产品中具有较低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其 100V 的漏源电压额定值使其适用于多种中高压电源转换应用，例如 DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 或更高的驱动电压以确保完全导通，同时具备良好的热稳定性。其 TO-252（D-Pak）封装不仅便于安装，而且具有良好的散热性能，能够在较高功率条件下保持稳定运行。
104CDMCCDS-150MC 主要用于各种电源管理系统和功率控制电路中。常见应用包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器、同步整流模块、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）。由于其具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力，该器件特别适合用于高效率、高密度电源设计中，如服务器电源、通信设备电源、工业自动化控制系统以及便携式电子设备中的功率管理模块。此外，它也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统以及电动助力转向系统。
Si4410BDY-T1-GE3, IRFZ44N, FDPF085N10A0, FDS4410A
