时间：2025/6/25 17:03:08
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101X14N100MV4T是一种基于硅材料设计的高压MOSFET功率器件，主要用于开关电源、电机驱动和工业控制等领域。该型号采用了先进的制造工艺以提供高效率和低导通损耗的性能表现。
此器件为N沟道增强型MOSFET，具备较高的击穿电压和较低的导通电阻，使其非常适合在高频开关应用中使用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：14A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：35nC
总电容：680pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
101X14N100MV4T具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：能够承受高达100V的工作电压，适用于多种高压场景。
2. 低导通电阻：4mΩ的导通电阻有效降低了功率损耗，提升了整体系统效率。
3. 快速开关速度：由于栅极电荷较小（35nC），因此其开关速度较快，适合高频操作。
4. 稳定的工作温度范围：从-55℃到+175℃的宽泛温度区间，保证了器件在极端环境下的可靠性。
5. 小型化封装：采用紧凑型封装形式，节省了PCB空间，同时增强了散热性能。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品中的功率管理模块。
101X14N100MV3T, IRFZ44N, FDP14N10
