型号：100N02L
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：100A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：320A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.8mΩ @ VGS=10V, ID=50A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.3mΩ @ VGS=4.5V, ID=50A
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：4500pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：1400pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　功耗（PD）：200W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220 / DPAK

100N02L采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具有极低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统整体效率。其典型RDS(on)仅为1.8mΩ（在VGS=10V条件下），即使在高负载电流下也能保持较低的温升，有助于简化散热设计。该器件的栅极电荷（Qg）较低，通常在几十纳库仑级别，这意味着它可以用较小的驱动电流实现快速开关，从而减少开关损耗，特别适用于高频开关电源和同步整流电路。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其最大结温可达175°C，支持在恶劣工作环境中可靠运行。体二极管的反向恢复时间较短（约25ns），有助于减少在桥式电路或续流应用中的反向恢复损耗，降低电磁干扰（EMI）。此外，100N02L的阈值电压较低且一致性好，便于与逻辑电平信号直接接口，适用于由微控制器或PWM控制器直接驱动的场合。
　　在封装方面，TO-220或DPAK封装提供了良好的机械强度和散热能力，可通过加装散热片进一步提升功率处理能力。该器件还具备较高的雪崩耐量，能够在瞬态过压条件下提供一定的自我保护能力。其引脚配置符合行业标准，便于在现有设计中进行替换和升级。总体而言，100N02L是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和成本有较高要求的现代电力电子系统。

100N02L广泛应用于各类需要高效、低损耗功率开关的电子系统中。在便携式电子设备中，常用于电池供电系统的电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中的DC-DC降压或升压转换器。由于其低RDS(on)特性，特别适合作为同步整流器使用，显著提升转换效率，延长电池续航时间。
　　在工业控制领域，100N02L可用于电机驱动电路，作为H桥中的开关元件，驱动直流电机或步进电机，实现正反转和调速功能。其高电流承载能力和快速响应特性使其在伺服系统和自动化设备中表现出色。此外，该器件也适用于各类负载开关应用，如热插拔控制器、电源分配单元中的电子保险丝等，能够实现对负载的快速通断控制，防止浪涌电流损坏后级电路。
　　在通信电源和服务器电源中，100N02L可用于多相VRM（电压调节模块）设计，与其他MOSFET并联工作，分担大电流负载，确保CPU或GPU获得稳定高效的供电。其高频开关能力也有助于减小滤波元件的体积，提高电源功率密度。
　　在汽车电子系统中，尽管其20V的耐压限制了在高压总线上的应用，但100N02L仍可用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动、车窗升降电机控制等12V低压系统中。其宽工作温度范围和高可靠性满足汽车级应用的基本要求。此外，该器件还可用于太阳能充电控制器、电动工具、无人机电调等新兴应用领域，展现出良好的通用性和适应性。

IRL100P02PBF
　　FDD100N20
　　NTD100N02R2
　　SI100N02LS