电容值：1000 pF (1 nF)
　　容差：±10%
　　额定电压：100 VDC
　　温度系数：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装/外壳：0805（公制2012）
　　介质材料：陶瓷
　　结构：多层

100F2D102KTV 采用C0G（NP0）介质材料，具有优异的温度稳定性，其电容值随温度变化极小，适合高精度电路应用。此外，该电容器具有低介电吸收、低损耗和高Q值，适用于高频电路、滤波器和振荡器等要求严格的场合。其陶瓷介质和多层结构确保了良好的机械强度和长期稳定性。0805的封装尺寸提供了较好的焊接可靠性和空间利用率，适用于自动化贴片生产工艺。
　　这款电容器还具有良好的耐压性能，额定电压为100VDC，能够在较高电压环境下稳定工作。其±10%的容差使得在需要精准电容值的电路中表现优异。此外，该电容器的温度范围覆盖-55°C至+125°C，适应性强，可在极端环境下正常运行，广泛应用于工业控制、通信设备和汽车电子等领域。

100F2D102KTV 多层陶瓷电容器主要应用于需要高稳定性和低损耗的电子电路中。例如，在射频（RF）电路中，该电容器可用于滤波、耦合和旁路，确保信号的纯净和稳定。在高精度模拟电路中，如运算放大器和滤波器设计中，它能提供精确的电容值，提升电路性能。此外，该电容器还适用于高可靠性应用，如航空航天、汽车电子、工业控制和医疗设备等领域。其宽工作温度范围和高耐压能力使其在复杂环境下的电子产品中表现出色，能够满足高可靠性设计的需求。

C0805C102K1GACTU, VJ0805Y102KXJW1BC, GRM21BR71H103KA01L