类型: NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）: 100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）: 30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）: 30 V
　　最大功耗（Pd）: 300 mW
　　最大工作温度: 150°C
　　封装类型: TO-92
　　电流增益（hFE）: 110 至 800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）: 100 MHz
　　

100C80B 是一款性能稳定的 NPN 晶体管，其主要特性包括高电流增益、良好的频率响应和较低的噪声系数。该晶体管的 hFE 值范围较宽，从 110 到 800，根据不同的等级划分，使其适用于多种放大和开关应用。其过渡频率（fT）为 100 MHz，表明该器件在高频条件下仍能保持良好的增益性能。
　　此外，100C80B 的最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，能够在中等功率条件下稳定运行。其 TO-92 封装结构小巧，适合在印刷电路板（PCB）上密集布局，广泛用于消费类电子产品、工业控制系统和通信设备中。
　　在热性能方面，100C80B 的最大结温为 150°C，能够在较宽的环境温度范围内可靠运行。其最大功耗为 300 mW，支持一定的功率处理能力，但不适合用于高功率开关应用。该晶体管具备良好的热稳定性和较低的饱和压降，有助于减少能量损耗并提高电路效率。

100C80B 主要应用于低功率放大电路、开关电路以及数字逻辑电路中。由于其高频响应特性，它常用于音频放大器的前级放大、信号发生器和振荡电路。此外，该晶体管也适用于传感器信号放大、LED 驱动电路以及小型马达控制电路。
　　在数字电路中，100C80B 可用作晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路中的开关元件，实现高速信号切换。在模拟电路中，该器件可用于构建共射极放大器、射极跟随器和差分放大器等基本电路结构。由于其良好的增益线性度，100C80B 也可用于射频（RF）前端电路中的信号放大，尤其是在低频段通信设备中。
　　此外，100C80B 还可用于电源管理电路中的稳压器、电流镜和电压参考电路。其稳定的工作特性和宽泛的 hFE 范围使其成为通用电子设计中的常用器件，特别适合对成本和空间要求较高的应用场景。

2N3904, BC547, PN2222A