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100C25B 发布时间 时间:2025/12/28 21:32:05 查看 阅读:7

100C25B 是一款常见的电子元器件型号,通常用于电源管理、信号处理或功率控制等应用场景。该型号可能属于功率MOSFET、晶体管或整流器等类别,适用于多种电子设备和工业控制系统。

参数

类型:功率MOSFET或双极型晶体管(具体需根据制造商数据)
  封装形式:TO-220、TO-263或其他表面贴装封装
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):25A
  导通电阻(Rds(on)):典型值约0.05Ω(具体值依制造商而定)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  功率耗散:150W(典型值)

特性

高耐压和大电流能力,适合高功率应用。
  低导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。
  采用标准TO-220或TO-263封装,便于安装和散热管理。
  良好的热稳定性和可靠性,适用于严苛的工作环境。
  适用于高频开关应用,具有较快的开关速度。
  内置保护机制(如过热保护和过流保护,具体取决于设计)。

应用

100C25B 常用于以下应用场景:
  电源管理系统,如DC-DC转换器和电源开关电路。
  电机驱动和控制电路,提供高电流输出能力。
  工业自动化设备中的功率控制模块。
  逆变器和UPS系统中的功率开关元件。
  消费类电子产品中的电源管理单元。
  电池管理系统中的充放电控制电路。

替代型号

IRFZ44N, FDP3632, STP25NF10, FQP25N10L

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