尺寸：2.5 mm x 2.0 mm (EIA 1008)
　　电容值：8.2 pF
　　容差：±0.5 pF
　　额定电压：100 V DC
　　介质材料：C0G/NP0（温度补偿型）
　　温度系数：0 ±30 ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥10,000 MΩ 或 R*C ≥ 1000 S（取较小值）
　　等效串联电阻（ESR）：典型值 < 0.1 Ω
　　等效串联电感（ESL）：典型值 < 0.5 nH
　　耐湿性：符合 IEC 61193-4 Level 2a 要求
　　可焊性：符合 IEC 60068-2-20 方法 2Z
　　抗热冲击能力：通过 -55°C ? 150°C 循环测试 5 次无开裂

1008HT-82NTGLC 所采用的 C0G（也称为 NP0）陶瓷介质是目前市场上最稳定的电介质之一，具备近乎理想的电容稳定性，几乎不受电压、频率和时间的影响。这种材料的温度系数极低，在整个工作温度范围内（-55°C 至 +125°C）电容值的变化不超过 ±30 ppm/°C，这意味着即使在极端温度波动环境下，其电容值也能保持高度一致，不会出现显著漂移。这一特性使其成为振荡器电路、滤波器、谐振回路、射频匹配网络等对频率稳定性要求极高的应用中的首选元件。由于介电常数随时间和老化过程几乎不发生变化，该电容无需考虑长期使用中的容量衰减问题，极大提升了系统的长期可靠性。
　　该器件的结构设计充分考虑了高频应用的需求，具备非常低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而能够在 GHz 频率范围内维持高效的去耦和旁路功能。这对于高速数字电路、射频前端模块以及精密模拟信号链至关重要。低 ESR 意味着更少的能量损耗和发热，提高了系统效率；而低 ESL 则有助于减少高频下的阻抗峰值，增强瞬态响应能力。此外，其 100 V 的额定电压提供了足够的安全裕度，适用于多种中高压信号耦合与隔离场合。
　　机械方面，1008 封装尺寸在保证足够机械强度的同时，兼顾了空间利用率，适合自动化贴片生产。端电极采用多层金属化结构（如镍阻挡层加锡外涂层），不仅增强了抗热应力和焊接可靠性，还有效防止了因银迁移导致的短路风险。产品经过严格的湿度敏感等级（MSL）测试，通常达到 MSL 1 级（无限车间寿命），可在高湿环境中长期存储而不影响后续焊接质量。整体设计符合 AEC-Q200 等可靠性标准的部分要求，适用于高可靠性工业与军事用途。

1008HT-82NTGLC 主要应用于需要高稳定性、低损耗和精确电容值的高端电子系统中。在射频与微波电路中，它常被用于 LC 谐振回路、阻抗匹配网络以及带通滤波器设计，因其 C0G 介质的频率稳定性可确保信号传输的一致性和最小相位失真。在精密模拟电路中，例如高分辨率 ADC/DAC 前端滤波、参考电压缓冲和采样保持电路中，该电容能有效抑制噪声并维持信号完整性。在高温工业环境中，如油田探测设备、发动机控制系统和电力变频装置中，其宽温特性和高温耐受能力确保了在恶劣条件下的持续可靠运行。此外，在医疗成像设备（如 MRI 和超声波系统）中，该电容用于时钟振荡电路和信号调理模块，保障关键信号路径的稳定性。航空航天与国防领域也广泛采用此类高性能 MLCC，用于雷达系统、卫星通信链路和惯性导航单元中的高频旁路和去耦。由于其无磁性材料特性，还可用于对磁场敏感的科学仪器中。随着 5G 基站、毫米波通信和自动驾驶传感器系统的快速发展，这类小容值、高 Q 值、低寄生参数的电容需求持续增长，1008HT-82NTGLC 凭借其综合性能优势，在这些前沿技术中扮演着不可或缺的角色。