电容值：100pF
　　额定电压：50V
　　电容容差：±5%
　　温度系数：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　介质材料：陶瓷（C0G/NP0）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　直流偏压特性：无明显容量下降
　　等效串联电阻（ESR）：极低
　　绝缘电阻：≥10000MΩ

1000CB-TR所采用的C0G（也称NP0）类陶瓷介质材料具有极高的稳定性，其电容值在温度、电压和时间变化下几乎不发生改变，是所有陶瓷电容器中介电性能最稳定的类型之一。这种材料的温度系数为0±30ppm/°C，在-55°C到+125°C的工作温度范围内，电容值的变化不超过±0.5%，确保了电路参数的高度一致性，特别适用于对频率稳定性要求严格的振荡器、滤波器和定时电路。由于C0G材料本质上是非铁电性的，因此不会出现Y5V或X7R等高介电常数材料常见的直流偏压效应，即在施加直流电压后电容值显著下降的现象。这使得1000CB-TR在电源去耦和信号耦合应用中能够保持标称容量，提升系统可靠性。此外，该电容器具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），在高频下仍能维持优良的阻抗特性，有效抑制高频噪声，增强电源完整性。其0402小型化封装适应高密度PCB布局需求，同时保持良好的焊接可靠性和机械强度。在长期使用过程中，C0G MLCC的老化率几乎为零，无需像铁电类陶瓷电容那样因偶极子排列松弛而产生容量衰减，从而保障了产品在整个生命周期内的性能稳定性。这些特性共同使1000CB-TR成为高性能模拟电路、射频前端模块、精密测量仪器和汽车电子等关键领域的首选被动元件之一。
　　

1000CB-TR因其卓越的电气稳定性和高频响应能力，被广泛应用于需要高精度和高可靠性的电子系统中。在射频（RF）电路设计中，常用于匹配网络、滤波器和谐振回路，以确保信号传输的稳定性和最小损耗。在高速数字系统中，如微处理器、FPGA和ASIC的电源引脚附近，用作去耦电容，可有效滤除高频噪声，防止电源波动影响核心逻辑运行。此外，在精密模拟电路如运算放大器、ADC/DAC前端，其稳定的电容值有助于维持增益和相位响应的一致性，避免因温度漂移导致的测量误差。在汽车电子领域，包括发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统和ADAS传感器模块中，1000CB-TR能够在剧烈温度变化和振动环境下持续工作，满足AEC-Q200可靠性标准。在工业自动化设备、医疗监测仪器和通信基础设施（如基站和光模块）中，该器件也发挥着关键作用，支持长时间无故障运行。由于其符合RoHS和无卤素要求，适用于全球范围内的绿色电子产品制造。随着便携式设备和可穿戴技术的发展，对小型化和高性能元件的需求不断增长，1000CB-TR凭借其0402紧凑尺寸和优异性能，在智能手机、平板电脑和物联网终端中也得到了广泛应用。