类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　封装尺寸：0805（英制）/ 2012（公制）
　　电容值：330pF
　　容差：±0.2pF 或 ±0.5pF（典型）
　　介质材料：C0G（NP0）
　　温度系数：0±30ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　额定电压：50V DC（典型）
　　绝缘电阻：≥100GΩ
　　时间常数：≥10000 Ohm-Farad
　　Q值：≥1600 @ 1MHz（典型）
　　DF（耗散因子）：≤0.05% @ 1MHz
　　自谐振频率（SRF）：典型值 >1GHz（依赖PCB布局）
　　端接：镍阻挡层 + 闪金（Ni/Sn或Ni/Au可选）
　　符合标准：RoHS合规，无铅可焊

0805CS-331XGL的核心特性源于其采用的C0G（NP0）陶瓷介质材料，这种材料具有极其稳定的电学性能，确保了电容器在宽温度范围内电容值几乎不发生变化。其温度系数为0±30ppm/°C，意味着在-55°C到+125°C的工作温度区间内，电容的变化量可以忽略不计，这对于精密射频电路至关重要。此外，该器件展现出极低的耗散因子（DF ≤ 0.05% @ 1MHz），表明其能量损耗极小，能够有效提升电路的整体效率和信号纯度。高Q值（≥1600 @ 1MHz）是其另一大亮点，Q值越高，说明电容器的储能能力相对于能耗更强，特别适合用于构建高品质因数的LC谐振回路、带通滤波器和压控振荡器（VCO）中，有助于实现更窄的带宽和更高的选择性。
　　该电容器的小型化0805封装不仅节省PCB空间，而且在高频下表现出较低的寄生电感和电容，有利于提升自谐振频率（SRF）。尽管具体SRF值受PCB布局影响较大，但合理设计下可使SRF远高于1GHz，从而保证其在UHF乃至微波频段仍能保持良好的电容行为。其50V的额定直流电压足以满足大多数射频偏置和耦合场景的需求。端子结构采用镍阻挡层加金或锡镀层，提供了优良的可焊性和抗迁移能力，防止银离子迁移导致的短路风险，增强了长期使用的可靠性。此外，该器件通过了严格的环境测试，包括高温高湿储存、热冲击和焊接耐久性测试，确保在恶劣环境下依然稳定运行。这些综合特性使得0805CS-331XGL成为高端无线通信设备、雷达系统、测试仪器和航空航天电子系统中不可或缺的关键元件。

0805CS-331XGL因其卓越的高频稳定性和低损耗特性，被广泛应用于对信号完整性和频率稳定性要求极高的射频与微波电路中。典型应用场景包括各类射频匹配网络，例如在功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）和天线接口之间实现阻抗匹配，以最大化功率传输并减少反射损耗。在滤波器设计中，尤其是带通、低通和高通LC滤波器中，该电容器用于构建高Q值谐振单元，显著提升滤波器的选择性和插入损耗性能。它也常用于晶体振荡器和压控振荡器（VCO）的调谐电路中，确保振荡频率的精确性和长期稳定性，避免因温度漂移引起的频率偏移。
　　在无线通信系统中，如蜂窝基站、Wi-Fi模块、蓝牙设备和卫星通信终端，该器件用于耦合、去耦和旁路功能，在高频段提供稳定的电容响应。此外，在测试与测量设备（如频谱分析仪、网络分析仪）内部的校准电路和参考路径中，也需要使用此类高精度电容器来保证测量结果的准确性。医疗电子设备中的高频成像系统（如超声波发射接收链路）以及航空航天和国防领域的雷达前端模块，同样依赖0805CS-331XGL这类高可靠性元件来维持系统性能的一致性。由于其符合RoHS标准且支持自动化贴装，因此也非常适合批量生产的消费类和工业级电子产品。

GRM21BR71H334KA01L
　　CC0805JRNPO9BN330
　　CGA2L3X7R1H334K500AE