封装尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
　　电容值：150pF
　　电容公差：±0.1pF 或 ±0.25pF（典型为高精度）
　　电介质材料：C0G（NP0）
　　额定电压：50V DC（典型）
　　温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　绝缘电阻：≥10000 MΩ 或 ≥100GΩ（取决于规格）
　　耐压：≥1.5 倍额定电压（短时）
　　损耗角正切（tanδ）：≤0.1%（通常为 0.0001）
　　自谐振频率（SRF）：通常 >1GHz（取决于具体结构）
　　工作频率范围：DC 至数 GHz（适合高频应用）
　　端接类型：镍阻挡层，锡铅或无铅可焊端（符合 RoHS）

0805CS-151XJRC 采用 C0G（NP0）电介质材料，这是一类具有极高稳定性的Ⅰ类陶瓷材料，能够在整个工作温度范围内保持极其稳定的电容值，其温度系数仅为 0 ±30ppm/°C，意味着在 -55°C 到 +125°C 的温度变化下，电容值几乎不随温度漂移，这对于需要精确频率控制的电路至关重要，例如石英晶体振荡器、锁相环（PLL）和射频合成器中的谐振元件。此外，该电容器具有极低的介电损耗（tanδ ≤ 0.1%），这意味着在高频工作时能量损耗极小，不会引入额外的热噪声或信号失真，从而提升系统的信噪比和效率。
　　C0G 材料还具备优异的电压系数表现，即在施加直流偏压时电容值几乎不发生变化，这与 X7R、Y5V 等Ⅱ类陶瓷电容器形成鲜明对比，后者在电压升高时电容会显著下降。因此，0805CS-151XJRC 非常适合用于高精度模拟电路、滤波器设计和高频耦合场景。其 50V 的额定电压足以满足大多数低压射频和数字系统的需求。封装采用标准 0805 尺寸，便于自动化贴片生产，并与主流 SMT 工艺兼容。
　　该器件的端接结构通常包含镍阻挡层和锡基焊料涂层，提供良好的可焊性和抗迁移能力，确保长期可靠性。在高频性能方面，由于其较小的封装尺寸和优化的内部电极设计，自谐振频率（SRF）可达 1GHz 以上，使其在 GHz 级射频应用中仍能保持容性行为，有效发挥去耦、匹配或滤波作用。此外，该 MLCC 不受老化效应影响（C0G 材料无铁电畴老化），使用寿命长且性能稳定，是替代传统云母电容或薄膜电容的理想选择，在空间受限的设计中尤为突出。

0805CS-151XJRC 主要应用于对电容稳定性、频率响应和温度特性要求极高的电子电路中。它广泛用于射频（RF）前端模块，如天线匹配网络、RF 滤波器和谐振回路，确保信号传输的高效与稳定。在高频振荡器电路（如 LC 振荡器、晶体振荡器的负载电容）中，其低温度系数和低损耗特性有助于维持频率精度，防止因环境变化导致的频率漂移。此外，该电容器常用于高性能模拟信号链，如运算放大器的反馈网络、ADC/DAC 的参考电压滤波、精密积分器和定时电路，以保证信号完整性。
　　在通信系统中，包括无线基站、微波收发器、卫星通信设备和雷达系统，0805CS-151XJRC 被用作高频去耦电容，有效滤除电源噪声并防止高频干扰传播。其稳定的电气特性也使其适用于医疗成像设备、测试测量仪器（如示波器、频谱仪）和高精度传感器接口电路。在工业自动化和汽车电子领域，特别是在 ADAS（高级驾驶辅助系统）的雷达模块和车载通信单元中，该电容器可用于射频匹配和滤波，确保系统在宽温环境下可靠运行。此外，由于其符合 RoHS 标准并支持回流焊工艺，非常适合现代自动化生产和高密度 PCB 设计需求。

GRM21BR71H151KA01L
　　CC0805JRNPO9BN151
　　CL21A151JBANNNC
　　ECJ-UWF1H151GL