封装尺寸：0805（英制）/2012（公制）
　　电容值：0.33μF (330nF)
　　容差：±20%
　　额定电压：25V DC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% over temperature
　　端接类型：Ni/Sn（镍阻挡层/锡镀层）
　　产品系列：KEMET 0805 Series
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　电介质稳定性：Class II
　　老化特性：典型值≤2.5%/decade小时（25°C）
　　最大厚度：约1.25mm

0805B334M250NT所采用的X7R介电材料属于II类陶瓷，具备较高的介电常数，使得在小尺寸封装下仍能实现较大的电容值，显著提升了元器件的空间利用率。其在-55°C至+125°C的宽温范围内保持电容稳定性（变化不超过±15%），使其适用于存在较大温度波动的工业、汽车及通信设备环境。该电容器的0805封装形式是目前应用最广泛的SMD尺寸之一，兼容自动化贴片工艺，支持高密度PCB布局，同时在焊接过程中表现出良好的抗热应力能力，降低因回流焊引起的开裂风险。器件采用镍阻挡层端子结构，有效阻断内部银电极与外部环境的接触，防止银离子迁移导致的短路或绝缘失效，从而提高在潮湿、高温等恶劣条件下的长期可靠性。此外，其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性使其在高频去耦应用中表现优异，能够快速响应瞬态电流变化，稳定电源电压，减少噪声干扰。由于陶瓷电容器本身为无源无极性元件，无需考虑极性安装，简化了电路设计与生产流程。该型号还通过了AEC-Q200等可靠性认证（视具体批次而定），可用于对可靠性要求较高的车载电子系统。整体而言，该MLCC在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是现代电子设计中理想的通用型电容解决方案。
　　值得注意的是，X7R材料的电容值会随施加的直流偏压发生明显变化，这是II类陶瓷材料的固有特性。例如，在接近额定电压时，实际可用电容可能下降达40%-60%，因此在设计电源去耦网络时需结合偏压特性曲线进行降额使用，以确保足够的有效电容。此外，机械应力（如PCB弯曲）也可能影响其电气性能，建议在布局时避免将此类元件置于板边或应力集中区域。尽管存在这些非理想特性，凭借其高性价比和成熟供应链，0805B334M250NT仍是众多消费类、工业类及嵌入式系统中的首选电容之一。

该电容器广泛应用于各类需要中等电容值与中等电压等级的电子系统中。在电源管理电路中，常用于DC-DC转换器的输入输出滤波和去耦，有效抑制电压纹波和瞬态干扰，提升电源稳定性。在微控制器、FPGA、ASIC等数字芯片的供电引脚附近，用作旁路电容，吸收高频噪声，防止因电流突变引起的电压跌落，保障逻辑电路正常运行。在模拟信号链中，可用于低频滤波、交流耦合和参考电压旁路，尤其适合音频处理、传感器接口和数据采集系统。此外，该器件也常见于工业控制设备、通信模块（如Wi-Fi、蓝牙模组）、汽车电子（如车身控制模块、信息娱乐系统）以及消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备）中，承担储能、滤波和信号调理等功能。得益于其符合RoHS标准且具备良好环境适应性的特点，该电容亦适用于出口型产品及严苛工作环境下的应用场合。对于需要小型化和高集成度的设计，0805封装提供了良好的焊接可靠性和自动化生产兼容性，进一步拓展了其应用边界。

GRM21BR71E334KA01D