07N90E是一款高电压、高电流能力的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于各种功率开关应用。该器件采用先进的平面技术制造,具有较低的导通电阻(Rds(on))和较高的效率,适合用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理和电池充电器等电路中。该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性,适用于工业级工作环境。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):900V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):7A
导通电阻(Rds(on)):约1.0Ω(典型值,取决于具体制造商)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220、TO-251、TO-252等
07N90E具备多个关键特性,使其在高电压应用中表现出色。首先,其高达900V的漏源电压额定值使其适用于多种高压开关电路。其次,器件的导通电阻较低,通常在1.0Ω左右,有助于减少导通损耗,提高整体效率。此外,该MOSFET具有较高的栅极击穿电压(±30V),增强了抗过压能力。
该器件的连续漏极电流额定为7A,适用于中等功率的应用。在高温环境下,07N90E仍能保持稳定的工作性能,其工作温度范围为-55°C至150°C,确保在极端条件下也能可靠运行。此外,其封装形式多样,包括TO-220、TO-251和TO-252等,方便根据不同的PCB布局需求进行安装。
07N90E还具备良好的雪崩能量承受能力,能够在瞬态条件下提供额外的安全裕度。其设计优化了开关速度,从而降低了开关损耗,并提高了整体系统效率。这些特性使得07N90E成为许多高压功率应用的理想选择。
07N90E广泛应用于多个领域,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器以及工业自动化设备。在开关电源中,该MOSFET可作为主开关,负责高效地将输入电压转换为所需的输出电压。在DC-DC转换器中,它可用于升压或降压拓扑结构,实现高效率的能量转换。
在电机驱动应用中,07N90E能够承受较高的电流和电压应力,适用于直流电机控制和步进电机驱动。此外,该器件也常用于电池管理系统中的充电和放电控制电路,确保电池在安全范围内运行。
由于其高可靠性和宽工作温度范围,07N90E也适用于户外设备、工业控制系统和智能家电等需要长期稳定运行的场合。在LED照明驱动电路中,该MOSFET可作为调光或开关元件,提供高效的控制能力。
FQP7N90C, IRF7N90A, STF7NM90N, 2SK2143