类型：瞬态电压抑制二极管阵列
　　封装形式：DFN-10
　　通道数：6
　　工作电压（VRWM）：6V
　　反向关断电压：6V
　　峰值脉冲电流（Ipp）：2A
　　最大箝位电压（Vc）：13.5V @ Ipp
　　击穿电压（Vbr）：最小6.7V，典型7.3V
　　漏电流（IR）：小于1μA @ VRWM
　　电容值（Ct）：每通道典型值3.5pF @ 0V, 1MHz
　　ESD防护能力：±15kV（接触放电），符合IEC61000-4-2 Level 4
　　电源电压范围：适用于低电压数字与模拟信号线路
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

07KR-6M-P具备卓越的瞬态抑制性能，能够在纳秒级时间内响应高达±15kV的静电放电事件，迅速将瞬态能量泄放到地，从而保护后端CMOS集成电路不被损坏。其核心优势之一是极低的结电容，每通道典型值仅为3.5pF，在高频信号传输路径中引入的信号失真和插入损耗极小，因此特别适合用于USB 2.0、高速GPIO、音频接口、触摸屏控制器等对信号完整性要求较高的应用场景。器件内部采用双向TVS结构设计，支持交流与直流信号线路的双向过压保护，适应多种信号极性变化的需求。
　　另一个显著特点是其高浪涌耐受能力和稳定的钳位特性。当遭遇IEC61000-4-2规定的四级ESD冲击时，07KR-6M-P能维持低于13.5V的钳位电压，有效防止瞬态电压超过后级芯片的绝对最大额定值。这种低动态电阻设计使得器件在大电流瞬态下仍保持良好的电压控制能力。同时，其2A的峰值脉冲电流承受能力满足大多数工业和消费类产品的浪涌测试标准。
　　从热性能角度看，DFN-10封装具有优良的散热性能，通过底部散热焊盘可将瞬态功耗快速传导至PCB地层，避免局部过热导致的器件失效。该封装尺寸小巧（约1.6mm x 1.6mm），节省宝贵的PCB空间，便于实现小型化设计。此外，器件采用无卤素材料制造，符合绿色环保趋势，并兼容自动化贴片生产工艺，提升生产效率与良率。整体而言，07KR-6M-P是一款高性能、高集成度、高可靠性的多通道ESD保护解决方案，适用于现代电子系统中日益严峻的电磁兼容挑战。

07KR-6M-P主要用于各类消费类电子产品中的高速数据接口和低电压信号线路保护。典型应用包括智能手机和平板电脑的USB OTG接口、microSD卡插槽、摄像头模组连接器、LCD显示屏排线接口以及触摸屏信号线。在这些应用中，用户频繁插拔外设或直接接触接口端子，极易引发静电放电，而该器件可提供即时响应的保护机制，防止IC输入级氧化层击穿。
　　此外，它也广泛应用于笔记本电脑、便携式医疗设备、工业手持终端、智能家居控制面板等人机交互密集的场景。例如，在键盘背光驱动电路或传感器信号采集线上使用07KR-6M-P，可以显著提升系统在复杂电磁环境下的稳定性。由于其低电容和低漏电流特性，同样适用于音频编解码器前端、麦克风输入、耳机插孔等模拟信号通道，避免引入噪声或影响频率响应。
　　在通信模块方面，诸如Wi-Fi/BT combo芯片与天线开关之间的控制信号线也可部署此器件进行ESD防护。考虑到现代IoT设备常暴露于干燥或多尘环境中，静电累积风险较高，因此集成07KR-6M-P有助于通过EMC认证测试，如IEC61000-4-2静电放电抗扰度试验。总之，任何需要在有限空间内实现多路信号ESD保护且不影响信号质量的设计，都是07KR-6M-P的理想应用领域。

SP1206-xx-SX-AFR-3
　　RCLAMP0524P
　　ESD9L5.0ST5G