型号：06N90E
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-220
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：6A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：24A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：3~5V
　　栅极电荷（Qg）：45nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：150pF
　　反向恢复时间（trr）：快速体二极管
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　功耗（Pd）：125W（@Tc=25℃）

06N90E 的核心特性之一是其高达 900V 的漏源击穿电压，使其能够稳定应用于高压环境，如交流输入整流后的主开关电路中。这一耐压能力确保了在市电波动或雷击浪涌等异常情况下，器件仍能保持可靠运行，避免因过压击穿导致系统失效。该特性特别适用于全球通用输入电压范围（85VAC ~ 265VAC）的开关电源设计。
　　其次，该 MOSFET 具有相对较低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs = 10V 条件下仅为 1.2Ω，有助于降低导通期间的功率损耗，提高电源转换效率。尽管该阻值在现代超低 Rds(on) 器件中不算极致，但在 900V 级别的高压 MOSFET 中仍属于合理水平，兼顾了耐压与导通性能之间的平衡。
　　另一个重要特性是其优化的动态参数，包括较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）。这些参数直接影响开关速度和驱动功耗。较低的 Qg 意味着控制器所需的驱动电流更小，可以使用更简单的驱动电路，同时减少了开关过程中的交叠损耗，提升了高频工作的可行性。这对于追求高效率和小型化的现代电源设计至关重要。
　　此外，06N90E 内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，有助于减少在硬开关拓扑中因二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI）。虽然不如专门的快恢复二极管或碳化硅二极管优异，但已能满足大多数反激电源中续流需求。
　　该器件还具备良好的热性能，TO-220 封装支持通过散热片有效导出热量，结合 125W 的最大功耗能力，可在较高环境温度下持续工作。其宽泛的工作结温范围（-55℃ ~ +150℃）也增强了在恶劣工业环境下的适应能力。

06N90E 主要应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高耐压能力的离线式电源设计中表现突出。典型应用包括反激式（Flyback）和正激式（Forward）转换器，作为主开关管连接在变压器初级侧，负责将直流高压斩波为高频脉冲，实现能量传递与电压变换。这类电源广泛用于电视、显示器、充电器、适配器等消费电子产品中。
　　此外，该器件也适用于 LED 驱动电源，特别是在高压恒流输出场景下，能够承受较高的母线电压并实现稳定的 PWM 调光控制。由于其具备良好的开关特性和热稳定性，因此在长时间运行的照明系统中具有较高的可靠性。
　　在工业控制领域，06N90E 可用于电机驱动电路中的功率开关，特别是在小功率直流电机或步进电机的 H 桥或半桥拓扑中，作为上桥臂或下桥臂开关元件使用。其 6A 的连续电流能力足以应对多数中小功率电机的启动和运行电流需求。
　　同时，它也可用于 DC-DC 升压或降压转换器中，尤其是在输入电压较高的场合，例如太阳能逆变器前端、电信电源模块等。在这些应用中，06N90E 的高耐压特性可有效防止因母线电压波动而导致的器件损坏。
　　此外，在不间断电源（UPS）、逆变器和焊机等电力电子设备中，该 MOSFET 可作为关键开关元件参与能量转换过程，提供高效的功率控制能力。其较强的雪崩耐受能力也使其在存在感性负载突变的环境中更具鲁棒性。

STP6NK90ZFP
　　STP6NK90Z
　　2SK3569
　　2SK3570
　　FQP9N90