06N80C3 时间：2025/7/29 19:31:37 阅读：4

06N80C3 是一款常用的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及各种电力电子设备中。该器件采用了先进的平面技术，具备较高的耐压能力和较低的导通电阻。其封装形式通常为TO-220或TO-262，便于安装和散热。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：800V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：6A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.7Ω
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220/TO-262

特性

06N80C3 MOSFET具有多项优异特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其漏源耐压高达800V，适用于高电压工作环境，能够有效防止因电压尖峰导致的器件损坏。其次，漏极电流可达6A，满足中等功率需求。导通电阻Rds(on)典型值为1.7Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，最大功耗为50W，适合高功率密度设计。
　　该MOSFET采用了TO-220或TO-262封装，具有良好的散热性能，便于在各种电路板上安装。其栅极驱动电压范围宽，通常为10V至15V，兼容常见的驱动电路设计。在高温环境下仍能保持稳定工作，最高工作温度可达+150°C，确保在严苛条件下的可靠性。

应用

06N80C3 MOSFET常用于各类电源管理与功率控制电路中。主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电池充电器、逆变器、马达驱动电路、照明镇流器、工业自动化设备以及消费类电子产品中的电源部分。
　　在开关电源中，06N80C3作为主开关管使用，负责将输入的直流电压通过高频开关转换成所需的输出电压。由于其高耐压和低导通电阻特性，可以有效提高电源效率并减少发热。
　　在DC-DC转换器中，该器件可作为同步整流器或主开关使用，提升能量转换效率。在电池充电器和逆变器中，06N80C3可用于控制能量流动，实现高效能的充放电管理和交流输出。
　　此外，该MOSFET也可用于工业控制系统的马达驱动和照明控制，提供稳定可靠的功率输出。