封装尺寸：0603 (EIA)
　　电容值：4.7μF
　　容差：±10%
　　额定电压：6.3VDC
　　温度特性：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　电容变化率：±15%（在温度范围内）
　　介质材料：钡钛酸盐基陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡镀层（Ni-Sn）或银钯内电极
　　最小包装数量：通常为4000片/卷或8000片/卷
　　产品类别：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降明显，需注意实际工作条件下的有效容量
　　老化特性：X5R材质具有一定的老化率，典型值为2.5%每十年

X5R是一种常见的中等性能温度补偿型陶瓷介质材料，属于II类铁电陶瓷，主要以钛酸钡（BaTiO?）为基础掺杂改性制成。其最大的优势在于能够在较小的封装尺寸下实现较高的电容值，适合对空间要求严格的高密度印刷电路板设计。X5R电容器的工作温度范围为-55°C至+85°C，在此区间内电容值的变化不超过±15%，相较于Z5U或Y5V等III类介质更为稳定，但不如C0G/NP0等I类介质精确。尽管X5R不具备线性温度系数和极低损耗的特性，但其体积效率高、成本适中，因此在非精密模拟电路中被广泛采用。
　　值得注意的是，X5R电容器存在明显的直流偏压效应——即施加直流电压后，其有效电容会显著降低。例如，一个标称4.7μF的0603 X5R电容在施加5V偏压时，实际可用容量可能仅剩1.5~2.5μF，这一特性必须在电源去耦或滤波电路设计中予以充分考虑。此外，X5R还具有一定的老化现象，即电容值会随时间缓慢下降，典型老化率为每年约2.5%（基于十年周期估算），但可通过加热（如回流焊）重新‘去老化’并重置老化时钟。
　　机械方面，0603尺寸的MLCC较易受到PCB弯曲或热应力引起的开裂风险，建议布局时避免放置在应力集中区域，并采用适当的焊盘设计和回流焊曲线控制。X5R电容器无极性，适用于交流或直流电路，具有较低的等效串联电阻（ESR）和良好的高频响应，特别适合作为开关电源输出端的滤波电容或IC电源引脚的去耦电容。然而，由于其介电材料的非线性特性，不推荐用于谐振、定时或高精度耦合电路中。

这类0603 4.7μF 6.3V X5R MLCC广泛应用于各类低电压、小电流的电子设备中，尤其是在便携式消费电子产品中极为常见。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备（如智能手表）、蓝牙耳机、物联网传感器节点等内部的电源管理系统。在这些系统中，它们主要用于为数字IC（如处理器、内存、ASIC）提供局部去耦和瞬态电流支持，抑制电源噪声和电压波动，从而提高系统的稳定性与抗干扰能力。
　　此外，该类电容也常用于DC-DC转换器的输入和输出滤波环节，配合电感构成LC滤波网络，平滑开关噪声并提升电源质量。虽然其额定电压仅为6.3V，限制了在高压电路中的使用，但在3.3V、2.5V、1.8V甚至更低的核心电压供电系统中仍具备良好适应性。在射频模块中，可用于偏置电路的旁路电容，隔离RF信号与直流供电路径之间的相互干扰。
　　工业控制、汽车电子（非引擎舱）中的低压控制单元也可能采用此类元件，前提是工作环境温度不超过X5R的上限（+85°C）。考虑到其小型化特点，非常适合自动化贴片生产线，有助于提升组装效率和产品集成度。但由于其电压系数和温度稳定性限制，在涉及精密模拟信号处理（如ADC参考电压滤波、振荡器旁路）的应用中应谨慎选用或替换为C0G/NP0类型电容。

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　　 "GRM188R71E475KA12D",
　　 "CL21A475KAQNNNE",
　　 "C1608X5R1E475K",
　　 "LC0603X5R1E475K",
　　 "CC0603KRX5R7U475"
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