05FM-1.0BP-TF 时间：2025/10/11 3:51:27 阅读：6

05FM-1.0BP-TF是一款由Littelfuse公司生产的表面贴装（SMD）瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），专为保护敏感电子电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击感应等瞬态过电压事件的影响而设计。该器件采用紧凑的DFN（Dual Flat No-lead）封装，尺寸小巧，适用于空间受限的便携式电子设备。05FM-1.0BP-TF集成了多个TVS二极管，能够同时保护多条信号线路，广泛应用于高速数据接口、通信端口和消费类电子产品中。其低电容特性确保了对高速信号完整性的影响最小化，同时提供卓越的浪涌和ESD防护能力。该器件符合RoHS和无卤素要求，适合现代环保制造标准，并通过AEC-Q101车规级认证，具备良好的可靠性和稳定性，适用于汽车电子、工业控制和电信设备等多种场景。

参数

型号：05FM-1.0BP-TF
　　制造商：Littelfuse
　　封装类型：DFN-6
　　通道数：5
　　工作电压（VRWM）：1.0V
　　击穿电压（VBR）：1.25V @ 1mA
　　最大箝位电压（VC）：3.5V @ IPP = 1A
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A
　　峰值脉冲功率（PPPM）：3.5W
　　电容值（Cj）：典型值0.3pF（f=1MHz）
　　漏电流（IR）：最大1μA @ VRWM
　　极性：双向
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

05FM-1.0BP-TF的核心特性在于其超低工作电压与超低电容设计，使其特别适用于1.0V逻辑电平的先进低电压系统，如移动处理器I/O、低功耗传感器接口和新一代高速串行总线。其1.0V的反向截止电压（VRWM）允许在不影响正常信号工作的前提下提供有效保护，避免因保护器件过早导通而导致信号失真或系统误动作。该器件采用双向二极管结构，能够应对正负极性的瞬态电压冲击，增强了在复杂电磁环境下的适应能力。
　　该TVS阵列的每个通道均具有极低的结电容（典型值仅为0.3pF），这一特性对于维持高速信号（如USB 3.0、HDMI、MIPI、SDIO等）的完整性至关重要。低电容减少了信号衰减、反射和延迟，确保数据传输速率不受影响，尤其适合用于高频差分对或单端高速线路。此外，其快速响应时间（通常小于1皮秒）能够在纳秒级内将瞬态能量泄放到地，从而有效防止敏感CMOS器件因ESD事件而损坏。
　　05FM-1.0BP-TF采用DFN-6封装，具有优异的热性能和机械稳定性，支持自动化贴片生产，适用于回流焊工艺。其小型化设计（典型尺寸约1.6mm x 1.0mm x 0.55mm）节省PCB空间，满足便携式设备对微型化的需求。该器件通过IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电，±15kV空气放电）和IEC 61000-4-4 EFT（±40A）等国际电磁兼容标准测试，具备强大的抗扰度能力。同时，它还符合AEC-Q101车规级可靠性认证，可在严苛的温度循环、湿度和振动环境下稳定运行，适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器接口等高要求应用场景。

应用

05FM-1.0BP-TF广泛应用于需要高等级ESD保护的低电压、高速信号接口中。典型应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的MIPI DSI/CSI接口、I2C、SPI、UART等低速控制总线以及SD卡接口。由于其支持1.0V系统，特别适合用于先进制程的SoC外围电路保护，防止制造、运输和使用过程中发生的静电损伤。在物联网设备中，该器件可用于保护Wi-Fi、蓝牙和Zigbee模块的射频前端控制引脚。此外，在汽车电子领域，05FM-1.0BP-TF可用于摄像头模组、雷达传感器、车载显示模块和CAN/LIN总线辅助信号线路的瞬态防护。工业手持终端、医疗监测设备和便携式仪器也常采用此类器件来提升系统的电磁抗扰能力和长期可靠性。其紧凑尺寸和高性能使其成为现代高密度PCB布局中的理想选择。