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04N03LA 发布时间 时间:2025/7/15 18:10:33 查看 阅读:7

04N03LA 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于需要高效率和高性能的电源管理应用,例如开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。04N03LA具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和良好的热稳定性,是一款在工业和消费类电子产品中广泛应用的功率MOSFET。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电压(Vdss):30V
  最大源极电压(Vgss):±20V
  最大连续漏极电流(Id):180A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)
  功率耗散(Pd):194W
  输入电容(Ciss):2800pF

特性

04N03LA 功率MOSFET具有多项优异的电气和热性能特性。首先,其低导通电阻(Rds(on))为4.5毫欧姆,在VGS=10V时能够显著降低导通损耗,提高系统整体效率。其次,该器件支持高达180A的连续漏极电流,使其适用于高功率应用场景。此外,04N03LA采用先进的工艺制造,具备出色的雪崩能量承受能力,能够在极端条件下提供更高的可靠性和稳定性。
  这款MOSFET采用了高散热效率的TO-263(D2PAK)表面贴装封装,便于自动化生产和良好的热管理。同时,它的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平(可使用5V至10V驱动),适合与多种类型的控制器或驱动电路配合使用。04N03LA还具有较低的开关损耗,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和同步整流器。
  由于其优良的性能指标和广泛的适用性,04N03LA广泛用于服务器电源、通信设备、电池管理系统、汽车电子以及工业自动化等领域。

应用

04N03LA 主要应用于需要高效能功率管理的场合,包括但不限于以下领域:
  - 开关电源(SMPS)
  - 同步整流器
  - DC-DC转换器
  - 负载开关和电源分配系统
  - 电机控制和H桥驱动
  - 电池充电和管理系统(BMS)
  - 服务器和电信设备电源模块
  - 汽车电子系统(如车载充电器、电动助力转向系统等)

替代型号

SiR432DP-T1-GE3, FDS4410AS, IPW03R045C7

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