中心频率：750 MHz
　　带宽：典型值根据版本不同在数 MHz 范围内
　　插入损耗：典型值约 2.0 dB，最大不超过 3.5 dB
　　带内波动：≤ ±0.5 dB
　　阻带抑制：通常优于 40 dB（距通带边缘一定频率外）
　　输入/输出阻抗：50 Ω 标准匹配
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：SMD 小型陶瓷封装
　　尺寸：约 3.8 mm × 3.0 mm × 1.0 mm
　　端口数量：双端口（无源四端网络）
　　隔离度：典型值 > 30 dB
　　回波损耗：≥ 14 dB
　　供电需求：无需外部电源（无源器件）

0443.750DR 表面声波滤波器的核心优势在于其卓越的频率选择性和稳定的电气性能。该器件利用压电材料上的声波传播原理，在基片表面激发表面声波，通过叉指换能器（IDT）实现电信号与机械波之间的转换，从而形成具有陡峭滚降特性的通带响应。这种结构使得它在保持低插入损耗的同时，能够实现非常高的带外抑制能力，尤其适合对邻道干扰敏感的应用环境。其频率响应曲线经过精密设计与制造工艺控制，确保了批次间的一致性与稳定性。
　　该器件采用陶瓷密封封装，具备优良的防潮、抗氧化和抗机械应力能力，可在严苛的工业环境中长期稳定运行。此外，0443.750DR 具有良好的温度系数表现，频率漂移随温度变化较小，保证了在宽温条件下仍能维持预期的滤波性能。由于其无源特性，无需供电即可工作，降低了系统功耗与复杂度，非常适合用于电池供电或对能效要求较高的无线终端设备。
　　在制造工艺方面，EPCOS 使用先进的光刻技术来定义 IDT 结构，确保极高的精度与重复性。这不仅提升了器件本身的 Q 值和选择性，也增强了与其他射频组件的兼容性。同时，其小型化的 SMD 封装支持自动化贴片生产，提高了组装效率并降低了制造成本。整体来看，0443.750DR 凭借其高性能、高可靠性和成熟的技术平台，成为众多中高频通信系统中不可或缺的关键元件之一。

0443.750DR 主要应用于各类无线通信系统的射频前端和中频处理模块中，尤其适用于需要高选择性滤波功能的场合。在移动通信领域，它被广泛集成于 GSM、CDMA 和 LTE 用户终端设备中，如手机、数据卡、M2M 模块等，用于对接收信号进行中频滤波，去除带外噪声和干扰信号，从而提升信噪比和接收灵敏度。此外，在基站子系统或小型蜂窝（Small Cell）设备中，该滤波器也可用于本地振荡器路径或上/下变频链路中的杂散抑制。
　　除了主流蜂窝通信外，0443.750DR 还适用于其他工作在 750 MHz 频段附近的无线系统，例如专用无线集群通信、公共安全通信设备、远程抄表系统（AMR）、智能电网终端以及工业物联网（IIoT）节点。在这些应用中，设备往往面临复杂的电磁环境，因此对滤波器的选择性、稳定性和抗干扰能力提出了更高要求，而 0443.750DR 正好满足这些需求。
　　另外，该器件也可用于测试测量仪器、软件定义无线电（SDR）平台以及雷达传感系统中，作为前端信号调理的一部分。其紧凑的外形和稳定的性能使其特别适合空间受限但性能要求高的嵌入式系统。无论是消费类电子产品还是工业级设备，只要涉及 750 MHz 左右频段的信号处理，0443.750DR 都是一个值得信赖的滤波解决方案。

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