时间:2025/11/6 7:28:07
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0402N330J250LT是一款由KEMET(现为国巨集团下属品牌)生产的多层陶瓷贴片电容(MLCC)。该器件采用标准的0402(1.0mm x 0.5mm)表面贴装封装,广泛用于各类电子设备中实现去耦、滤波、旁路和信号耦合等功能。其标称电容值为33pF,允许偏差为±5%(J级),额定电压为25V DC,适用于在小型化高密度电路板设计中对空间要求极为严格的场景。
这款电容器属于C0G(NP0)温度补偿型介质材料类别,具备极佳的温度稳定性和低损耗特性,在整个工作温度范围内(-55°C 至 +125°C)电容值变化不超过±30ppm/°C,确保了电路参数的高度一致性。由于其优异的电气性能和可靠性,0402N330J250LT常被应用于射频(RF)、无线通信、精密模拟电路以及高速数字系统等对稳定性要求较高的领域。此外,该产品符合RoHS环保标准,并具备良好的可焊性和耐热性,适合回流焊工艺生产流程。
尺寸封装:0402 (1.0×0.5mm)
电容值:33pF
容差:±5% (J)
额定电压:25V DC
介质材料:C0G (NP0)
温度特性:0 ±30ppm/°C
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
绝缘电阻:≥10,000MΩ 或 RC ≥ 500S(取较小值)
耐压测试:1.5倍额定电压,5秒
ESR(等效串联电阻):典型值低于10mΩ(频率相关)
ESL(等效串联电感):典型值约0.2nH
0402N330J250LT所采用的C0G(NP0)陶瓷介质赋予其卓越的电性能稳定性,这是其最核心的优势之一。C0G材料是一种基于钛酸镁或钛酸锆的晶体结构陶瓷,具有近乎线性的温度系数,能够在极端温度环境下维持电容值不变,避免因温漂引起的电路失谐或增益偏移问题,特别适用于振荡器、滤波器和匹配网络等对频率响应精度敏感的应用。
该电容的介电损耗极低,典型的耗散因子(DF)小于0.1%,意味着在高频工作状态下能量损失极少,不会产生明显的发热现象,有助于提高系统的整体效率和长期运行可靠性。同时,C0G材质不表现出铁电效应,因此不存在直流偏置导致容量下降的问题——这一点显著优于X7R、X5R等高介电常数材料制成的电容,使其在高压偏置或大信号环境中仍能保持标称容量。
微型化的0402封装不仅节省PCB空间,还降低了寄生电感和电阻,有利于提升高频响应能力。结合其25V的工作电压,该器件可在低功耗射频前端、时钟电路和传感器接口中安全使用。制造过程中采用多层堆叠技术,保证内部电极均匀分布,增强了机械强度和抗热冲击能力,通过AEC-Q200认证的部分系列也表明其具备车规级可靠性潜力。
此外,该元件具有良好的长期稳定性,老化率几乎为零,不会像高K介质电容那样随时间推移发生容量衰减。无磁性材料的使用也使其适用于MRI、医疗电子及高灵敏度测量仪器中。综合来看,0402N330J250LT是一款高性能、高可靠性的通用型精密电容,尤其适合对稳定性、噪声控制和频率精度有严苛要求的设计场景。
0402N330J250LT因其出色的温度稳定性和低损耗特性,广泛应用于高频模拟与射频电路设计中。典型用途包括LC振荡器中的调谐电容,用于保持频率稳定,防止环境温度变化引起频率漂移;在PLL(锁相环)和VCO(压控振荡器)电路中作为关键的定时元件,保障信号生成的精确性。
在无线通信模块如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee和蜂窝模组中,它常用于RF匹配网络和巴伦电路中,实现阻抗变换与信号平衡传输,从而最大化功率传输效率并减少反射损耗。其稳定的电容值确保了天线匹配的一致性,提升了发射效率和接收灵敏度。
在精密放大器、ADC/DAC参考电压滤波和传感器信号调理电路中,该电容可用作旁路或去耦元件,有效抑制高频噪声干扰,提升信噪比。由于没有直流偏压效应,即使在偏置电压存在的条件下也能准确发挥滤波作用。
此外,该器件也被广泛用于工业控制、汽车电子(非动力系统)、医疗设备和消费类电子产品中的时钟晶振负载电容,配合石英晶体实现精准计时功能。其小型化封装适应现代高密度SMT组装需求,支持自动化贴片工艺,适用于大规模量产环境。
GRM1555C1H330JA01D
CC0402JRNPO9BN330
GCM1555C1H330JA01D
CL10A330JQ8NNNC