产品类型：陶瓷电容
　　电容值：22 pF
　　容差：±10%
　　额定电压：25 V DC
　　温度特性：C0G (NP0)
　　温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/尺寸：0402 (1.0mm x 0.5mm)
　　介质材料：Ceramic (Class I)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥ 10,000 MΩ 或 RC ≥ 500 s（取较小值）
　　使用寿命：在额定电压和最高工作温度下至少1000小时
　　老化率：0% / decade（C0G材料无老化效应）
　　端接类型：镍阻挡层（Ni-barrier）
　　包装方式：编带（Tape and Reel）

C0G（NP0）介质材料赋予了0402N220K250CT卓越的温度稳定性和频率响应特性。这类电容器属于I类陶瓷电容，其最显著的特点是在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值的变化不超过±30ppm/°C，实际测量中往往更优，确保了在极端环境下的性能一致性。这意味着无论是在低温启动还是高温运行状态下，电路中的谐振频率、滤波截止点或时间常数都不会发生明显偏移，极大提升了系统的精度与可靠性。这一特性使其成为高精度振荡器、PLL锁相环、TCXO温补晶振旁路、RF匹配网络等关键应用的理想选择。
　　该器件还具备极低的介电损耗，典型耗散因子（DF）低于0.1%，甚至可低至0.05%，远优于X7R、Y5V等II类陶瓷电容。低损耗意味着能量转换效率更高，发热更少，尤其适合用于高频LC谐振回路、带通滤波器和高Q值电路设计。同时，由于C0G材料不具压电效应，不会因机械应力产生噪声电压，避免了微音效应（microphonics）对敏感模拟信号的干扰。
　　在结构方面，0402N220K250CT采用多层叠层工艺制造，内部由数十乃至上百层交替排列的贵金属电极（如镍或银钯合金）与C0G陶瓷介质构成，有效提升单位体积下的电容密度，同时维持小型化优势。其25V额定电压对于0402封装而言提供了足够的安全裕度，适用于3.3V、5V乃至部分12V电源轨的信号耦合与噪声抑制场景。镍阻挡层端接设计增强了抗热冲击能力与耐潮湿性，防止银离子迁移，提高长期环境稳定性，特别适合汽车电子和工业控制等严苛应用环境。

0402N220K250CT主要应用于对电容稳定性、频率特性和可靠性要求较高的电子系统中。常见用途包括射频（RF）前端模块中的阻抗匹配网络，例如在Wi-Fi、蓝牙、Zigbee、LoRa等无线通信设备中用于天线调谐和功率放大器输入输出匹配。其稳定的电容值确保了最佳功率传输和最小反射系数（S11），从而优化无线信号覆盖范围与接收灵敏度。
　　在时钟和定时电路中，该电容常被用作晶体振荡器（Crystal Oscillator）的负载电容，配合石英晶体实现精确频率控制。尤其是在TCXO（温度补偿晶体振荡器）和VCXO（压控晶体振荡器）设计中，必须使用C0G/NP0级电容以保证频率稳定性不受外界温度波动影响。此外，在高速数据转换器（ADC/DAC）的参考电压滤波、PLL环路滤波器、有源滤波器以及精密运算放大器电路中，也需要此类低噪声、低漂移电容来维持信号链的整体性能。
　　工业自动化、医疗监测设备、测试测量仪器以及航空航天电子系统也广泛采用该型号电容，因其能在宽温域内保持性能一致，并通过AEC-Q200等车规认证的类似产品版本可用于车载信息娱乐系统、传感器接口和ADAS辅助驾驶模块。此外，在电源管理电路中，它还可作为高频去耦电容，放置于IC电源引脚附近，有效滤除高频噪声，保障数字逻辑电路稳定运行。

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　　 "C0402C220K5RACTU",
　　 "GRM155C80D220KE16D",
　　 "CL10A220KP8NNNC",
　　 "CC0402JRNPO9BN220"
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