时间：2025/12/27 23:08:49
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0402DF-421XJRU 是由Littelfuse公司生产的一款多层陶瓷片式电容器（MLCC），主要用于电路中的滤波、去耦和旁路应用。该器件采用标准的0402封装尺寸（公制1005），具有较小的体积，适合高密度贴装的印刷电路板设计。该型号电容器的标称电容值为210pF，额定电压为50V DC，适用于需要稳定电容性能和高可靠性的电子系统中。0402DF-421XJRU属于C0G（NP0）温度补偿型介质材料类别，具备极佳的温度稳定性、低损耗和几乎为零的电容变化率，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电性能的稳定。由于其优异的电气特性，该器件广泛应用于射频（RF）电路、振荡器、定时电路、精密模拟电路以及高频信号处理等对电容稳定性要求较高的场合。此外，该产品符合RoHS环保要求，并具备良好的抗湿性和可焊性，适合自动化表面贴装工艺（SMT）。作为一款高性能的无源元件，0402DF-421XJRU在消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域均有广泛应用。
封装/尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
电容值：210pF
容差：±0.1pF
额定电压：50V DC
温度特性：C0G（NP0）
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
介质材料：陶瓷（C0G/NP0）
安装类型：表面贴装（SMD）
层数结构：多层陶瓷（MLCC）
电容温度系数：0±30ppm/°C
直流电阻（DCR）：低
自谐振频率（SRF）：典型值约1.5GHz（具体依布局而定）
ESR（等效串联电阻）：极低
ESL（等效串联电感）：极低
C0G（NP0）介质材料赋予0402DF-421XJRU卓越的电容稳定性，其电容值随温度、电压和时间的变化极小，确保在各种工作条件下都能提供可靠的性能。该电容器的电容温度系数为0±30ppm/°C，意味着在整个工作温度范围内，电容值的变化可以忽略不计，特别适合用于对频率稳定性要求极高的振荡器和谐振电路中。此外，C0G材料具有极低的介电损耗（通常tanδ < 0.1%），这使得该器件在高频应用中表现出色，能量损耗极小，有助于提高系统效率和信号完整性。
由于采用多层陶瓷结构和先进的制造工艺，0402DF-421XJRU具备出色的机械强度和热稳定性，能够承受多次回流焊过程而不影响其电气性能。其0402小型化封装不仅节省PCB空间，还降低了寄生电感和电容，有利于提升高频响应能力。该器件的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL）均处于极低水平，使其在高速数字电路和射频前端模块中可有效实现噪声抑制和电源去耦。
该电容器还具有优异的长期可靠性，无老化现象，电容值不会随时间推移而发生漂移，避免了因元件老化导致的系统性能下降。其高绝缘电阻和低漏电流特性进一步增强了在精密模拟电路中的适用性。此外，产品通过AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，适用于汽车电子等严苛环境。整体而言，0402DF-421XJRU是一款集高稳定性、低损耗、小尺寸和高可靠性于一体的高性能MLCC，满足现代电子产品对小型化和高性能的双重需求。
0402DF-421XJRU广泛应用于对电容稳定性要求极高的电子电路中。在射频（RF）和无线通信系统中，常用于LC振荡器、滤波器、阻抗匹配网络和天线调谐电路，因其C0G特性可确保频率稳定性，防止信号漂移。在精密模拟电路中，如运算放大器反馈网络、ADC/DAC参考电压滤波和传感器信号调理电路，该电容能够提供稳定的电容值，减少误差源，提高测量精度。
在高频数字系统中，该器件用于电源去耦和旁路，有效滤除高频噪声，稳定供电电压，提升信号完整性和系统抗干扰能力。尤其在FPGA、ASIC、微处理器和高速接口电路的电源引脚附近，0402DF-421XJRU可快速响应瞬态电流变化，降低电源纹波。此外，在汽车电子领域，如车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中，该电容器因其宽温特性和高可靠性而被广泛采用。
在工业控制和医疗设备中，该器件用于定时电路、时钟生成电路和精密电源管理模块，确保系统长时间运行的稳定性和准确性。消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备也大量使用此类小尺寸、高性能的MLCC，以满足轻薄化和高性能的设计需求。总之，凡是对电容稳定性、温度特性和高频性能有严格要求的应用场景，0402DF-421XJRU都是理想的选择。
GRM1555C1H211GA81D
CC0402JRNPO9BN210
RLUP10051H211GAAW
