03455HS2H 时间：2025/12/26 23:27:32 阅读：9

03455HS2H 是一款由Vishay Siliconix公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及电机驱动等高效率开关电路中。该器件采用先进的沟道技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）和高开关速度的特点，能够在较高的频率下工作，同时保持较低的功耗。其封装形式为TO-220AB，是一种常见的通孔安装封装，具有良好的散热性能，适用于需要将热量传导至散热器的应用场景。03455HS2H的设计注重可靠性与稳定性，在工业控制、消费电子及汽车电子等领域均有广泛应用。该MOSFET可在较宽的温度范围内稳定运行，满足严苛环境下的使用需求。此外，它还具备优良的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性，提升了系统整体的安全性与耐用性。

参数

型号：03455HS2H
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：170 A（@TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：560 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on)（max）：2.8 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻RDS(on)（typ）：2.2 mΩ @ VGS = 10 V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：10200 pF @ VDS = 15 V
　　输出电容（Coss）：3400 pF
　　反向恢复时间（trr）：27 ns
　　最大功耗（PD）：200 W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

03455HS2H采用了Vishay先进的TrenchFET? 技术，这种垂直沟道结构显著降低了单位面积上的导通电阻，从而实现了极低的RDS(on)，有助于减少导通损耗并提升系统效率。其典型导通电阻仅为2.2毫欧，在同类产品中处于领先水平，特别适合大电流应用场景如大功率电源模块和电动工具驱动电路。该器件的高电流承载能力（可达170A连续漏极电流）使其能够应对突发的大负载需求而不会出现性能下降或热失效问题。
　　该MOSFET具备快速开关特性，得益于较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），可有效降低开关过程中的能量损耗，提高高频工作的可行性。这对于现代高效DC-DC变换器、同步整流拓扑以及电池管理系统至关重要。同时，其输入电容和输出电容经过优化设计，使得在高频操作时仍能维持良好的稳定性与可控性。
　　热稳定性方面，TO-220AB封装提供了优异的热传导路径，允许通过外接散热器将芯片产生的热量迅速散发出去，确保长时间运行下的可靠性。器件的工作结温最高可达+175°C，并支持从-55°C到+175°C的宽温度范围，适用于极端环境条件下的工业和汽车应用。
　　此外，03455HS2H具备一定的雪崩耐量能力，能够在非钳位感性负载关断过程中承受瞬时过压冲击而不损坏，增强了系统的抗干扰能力和长期运行安全性。内置体二极管也具有较快的反向恢复时间（27ns），减少了换流过程中的环流损耗，进一步提升了整体能效表现。综合来看，这是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率和功率密度要求较高的现代电力电子系统。

应用

03455HS2H因其低导通电阻、高电流能力和良好的热性能，被广泛应用于多种高功率密度和高效率要求的电子系统中。典型应用包括大电流DC-DC降压/升压转换器，尤其适用于服务器电源、通信设备电源模块以及笔记本电脑适配器中的同步整流部分。在这些应用中，该MOSFET可以显著降低导通损耗，提高电源转换效率，减少发热，从而提升整个系统的能效等级。
　　另一个重要应用领域是电机驱动电路，特别是在电动工具、无人机电调、电动自行车控制器以及工业自动化设备中。由于其能够承受高达170A的连续漏极电流和560A的脉冲电流，因此非常适合用于驱动大功率直流电机或无刷直流电机（BLDC）。在H桥或半桥拓扑结构中，多个03455HS2H可并联使用以分担电流，实现更高的输出功率和更好的热分布。
　　在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于主开关或均衡控制开关，利用其低RDS(on)来减少静态功耗，延长电池续航时间。同时，其高耐压和良好的雪崩特性也提高了系统在异常断开感性负载时的安全性。
　　此外，该MOSFET还常见于逆变器、UPS不间断电源、太阳能微逆系统以及汽车电子辅助电源系统中。TO-220AB封装便于安装散热器，适合需要手动焊接或维护更换的场合，因此在原型开发、中小批量生产和维修替换中具有较高实用性。总的来说，03455HS2H是一款适用于多种高功率、高效率场景的理想选择。