02KR-6S-P 时间：2025/12/27 15:18:15 阅读：10

02KR-6S-P是一种表面贴装（SMD）的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），主要用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）以及雷击感应等瞬态过电压的损害。该器件由多个TVS二极管集成在一个小型封装内，适用于高速数据线和低功率信号线路的过压保护。02KR-6S-P通常用于消费类电子产品、通信设备、工业控制模块以及便携式电子设备中，提供可靠的多通道ESD防护。
　　该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低电容特性，确保对高速信号传输的影响最小化。其结构设计允许双向过压保护，能够有效钳制正负方向的瞬态电压，从而保护后端集成电路。此外，02KR-6S-P具有快速响应时间（通常在皮秒级别），能够在瞬态事件发生的瞬间迅速导通，将多余能量泄放到地，维持线路电压在安全范围内。

参数

类型：瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array）
　　通道数：6
　　工作电压（VRWM）：5.0V
　　击穿电压（VBR）：6.4V @ 1mA
　　最大箝位电压（VC）：10V @ IPP
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A
　　电容值（C）：30pF @ 1MHz
　　反向漏电流（IR）：1μA Max @ VRWM
　　封装形式：SOT-23-6 或 DFN-6
　　极性：双向
　　功率（峰值脉冲）：100W（8/20μs波形）

特性

02KR-6S-P的核心特性在于其高效的多通道瞬态电压抑制能力，特别适用于需要高密度布局和高性能保护的现代电子系统。该器件集成了六个独立的TVS二极管通道，每个通道均可实现双向保护，适用于差分信号线或单端信号线的ESD防护。其低工作电压（5V）与典型逻辑电平兼容，适合用于USB接口、HDMI、SD卡槽、音频线路、按键输入等多种应用场景。
　　该器件的关键优势之一是其低结电容（典型值30pF），这一特性对于高速信号传输至关重要，因为它能显著减少信号衰减、反射和失真，确保数据完整性不受影响。在高频应用中，如USB 2.0或I2C总线，这种低电容设计可以避免引入额外的RC延迟，从而维持系统的正常通信性能。
　　02KR-6S-P具备优异的瞬态响应能力，响应时间可低至亚纳秒级别，能够在静电放电事件（如IEC 61000-4-2 ±15kV空气放电）发生时立即动作，迅速将电压钳制在安全水平以下，防止后级CMOS芯片因过压而损坏。同时，其最大箝位电压仅为10V，在短时间内可承受高达1A的峰值脉冲电流，表现出良好的能量吸收能力。
　　热稳定性方面，该器件采用高导热材料封装，具备良好的散热性能，能够在多次重复性瞬态冲击下保持稳定工作。其封装形式为SOT-23-6或DFN-6，体积小巧，便于自动化贴片生产，符合现代电子产品小型化趋势。此外，器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于各类工业级和消费级产品。
　　综上所述，02KR-6S-P凭借其多通道集成、低电容、快速响应、高可靠性等优点，成为众多电子系统中不可或缺的ESD保护解决方案。

应用

02KR-6S-P广泛应用于各类需要静电防护的电子设备中，尤其适用于高速数据接口和便携式电子产品。典型应用包括智能手机和平板电脑中的USB、Micro-USB、Type-C接口保护；音频耳机插孔、麦克风输入线路的ESD防护；以及SD卡、SIM卡等存储扩展接口的信号线保护。
　　在通信领域，该器件可用于以太网PHY接口、RS-232/RS-485收发器、CAN总线等工业通信端口的瞬态抑制。此外，在人机交互界面如触摸屏控制器、按键矩阵、编码开关等低速信号线上，02KR-6S-P也能提供有效的过压保护。
　　由于其双向特性和低电容设计，该器件也适用于差分信号线路，例如LVDS、I2C、SPI等总线系统的ESD防护。在家用电器中，如智能电视、机顶盒、路由器等设备的外部接口均可能采用此类TVS阵列进行电磁兼容性（EMC）增强。
　　在汽车电子中，尽管其主要定位为消费级应用，但在非动力域的车载信息娱乐系统、导航设备、后排显示屏等低压信号线路中也可作为辅助保护元件使用。总之，凡是有外部连接器暴露于人体接触或电缆插拔环境的场合，都是02KR-6S-P的理想应用场景。