时间：2025/7/2 13:28:24
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0201N1R8C500LT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能射频功率晶体管。该器件采用先进的封装设计，适用于高频和高功率密度的应用场景，能够提供卓越的效率和增益性能。其典型应用包括无线通信基础设施、雷达系统以及航空航天领域中的射频放大器。
型号：0201N1R8C500LT
封装类型：表面贴装
频率范围：DC 至 4 GHz
最大输出功率：50 W
增益：13 dB
效率：65%
工作电压：28 V
插入损耗：≤ 1.2 dB
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
0201N1R8C500LT 具备出色的射频性能，能够在高频率和高功率条件下保持稳定的输出。此外，它采用了小型化的 0201 封装，适合对空间要求严格的电路设计。器件内部集成了过温保护和静电防护功能，从而提高了可靠性。
该芯片还支持脉冲模式运行，使其非常适合需要瞬时高功率的应用场景。由于使用了 GaN 技术，与传统硅基器件相比，它具有更高的效率和更小的尺寸，同时具备更低的热阻，确保长时间工作的稳定性。
这款芯片广泛应用于各种高频率和高功率场景，例如：
1. 无线通信基站中的功率放大器模块
2. 军用及民用雷达系统
3. 航空航天设备中的射频前端
4. 医疗成像设备中的超声波发射电路
5. 工业加热及等离子体生成系统中的射频电源
0201N50W400T, 0201N30W500L
