封装尺寸：0201 (0.6mm x 0.3mm)
　　电容值：5.6nF (5600pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：25V DC
　　温度特性：X7R (ΔC/C: ±15% from -55°C to +125°C)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：Class II, X7R
　　端子类型：Ni-Sn (Nickel-Tin), 无铅
　　安装方式：表面贴装 (SMD)
　　产品系列：Murata GRM/L series equivalent
　　电容代码：EIA 0201
　　直流偏压特性：随电压升高电容值略有下降（典型X7R行为）
　　老化特性：X7R材质电容存在轻微老化现象，通常为每十倍时间周期约2.5%

X7R介质材料是Class II类陶瓷电容器中应用最广泛的类型之一，具备较高的介电常数，能够在较小封装内实现较大的电容值。0201B562K250NT所采用的X7R特性意味着其在-55°C至+125°C的宽温度范围内，电容值的变化幅度控制在±15%以内，这一性能显著优于Z5U或Y5V等低稳定性介质，但略逊于C0G/NP0这类超稳定电容器。尽管X7R电容的温度稳定性不如C0G，但其在成本、体积与电容密度之间实现了良好平衡，因此被广泛用于非精密但要求一定稳定性的场合。值得注意的是，X7R电容器的电容值会受到施加直流偏压的影响，随着电压升高，有效电容值会逐渐下降，这是由于铁电介质的极化饱和效应所致。例如，在接近额定电压25V时，实际电容值可能仅为标称值的70%-80%，因此在设计电源去耦或滤波电路时需考虑此非线性特性。此外，X7R电容还存在老化现象，即电容值随时间缓慢下降，典型老化率为每十倍时间周期约2.5%。不过，这一过程是可逆的，通过加热至居里点以上（通常>125°C）可恢复原始性能。0201B562K250NT在机械结构上采用多层叠层设计，内部由数十至数百层交替的陶瓷介质与内电极构成，提升了可靠性与抗应力能力。同时，其0201封装对贴装工艺要求较高，需精确控制焊盘设计、回流焊温度曲线及贴片机精度，以避免立碑、偏移或微裂纹等问题。该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有利于高频去耦和噪声抑制，尤其适合用于射频前端模块、DC-DC转换器输出滤波以及高速数字电路的电源管理单元。
　　

该电容器广泛应用于各类消费类电子产品中，尤其是在空间受限的高集成度设备中发挥关键作用。例如，在智能手机和平板电脑中，0201B562K250NT常用于处理器供电引脚的去耦，以稳定核心电压并抑制高频噪声；在射频模块中，它可用于阻抗匹配网络或滤波电路中的交流耦合电容；在电源管理系统中，该器件可用于DC-DC变换器的输入/输出滤波，帮助平滑电压波动并减少电磁干扰。此外，在可穿戴设备如智能手表和无线耳机中，由于PCB面积极为宝贵，0201封装的小型化优势尤为突出，使得设计师能够在有限空间内部署更多功能电路。工业控制与汽车电子领域也逐步采用此类小尺寸MLCC，特别是在车载信息娱乐系统或传感器模块中，要求元器件具备良好的温度适应性和长期可靠性。在通信设备方面，该电容可用于Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线收发模块的旁路和滤波应用，确保信号完整性。由于其25V额定电压适中，既高于常规3.3V或5V逻辑电路的工作电压，又能满足大多数低压电源轨的需求，因此在接口电路保护、ADC参考电压旁路、PLL环路滤波等模拟电路中也有广泛应用。考虑到其X7R材质的非线性特性，不建议将其用于高精度定时、振荡或采样保持电路，而更适合于对电容值精度要求不高的动态补偿场景。总体而言，0201B562K250NT凭借其小型化、宽温特性和良好的性价比，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

GRM0335C8X7R250PT01D
　　CC0201KRX7R25V562N
　　CL10A562KP5NNNC