LM4132系列精密电压基准的性能可与最佳的激光微调双极性基准相媲美，但是采用了经济高效的CMOS技术。
这一突破的关键是使用EEPROM寄存器来校正CMOS带隙架构上的曲率，温度系数（tempco）和精度，从而允许封装级编程克服组装偏移。
在将芯片组装到塑料封装中期间，电压精度和温度系数的变化限制了用激光技术修整的基准的精度。
与其他LDO参考不同，LM4132可以提供高达20 mA的电流，并且不需要输出电容器或缓冲放大器。这些优势与SOT-23封装一起对于空间至关重要的应用非常重要。
串联基准电压源比并联基准电压源具有更低的功耗，因为它们在空载条件下不必空载最大可能的负载电流。
这种优势，低静态电流（60 μA）和低压差（400 mV）使得LM4132非常适合电池供电的解决方案。
LM4132具有五个等级（A，B，C，D和E），以提供更大的灵活性。最佳等级的设备（A）的初始精度为0.05％，指定的温度系数为10 ppm /°C或更低，而最
REF34-Q1-该器件与被比较器件具有相同的功能，但不是引脚等效的，并且可能不是参数等效的。低温漂，低噪声，高初始精度等级
汽车应用合格
AEC-Q100符合以下结果：
器件温度等级1：–40°C至+ 125°C的环境工作温度范围
设备HBM ESD分类2级
输出初始电压精度：0.05％
低温系数：10 ppm /°C
低电源电流：60 μA
使能引脚，允许3μA的关断模式
20mA输出电流
电压选项：1.8 V，2.048 V，2.5 V，3 V，3.3 V，4.096 V
提供自定义电压选项（1.8 V至4.096 V）
V IN在10 mA时V REF + 400 mV至5.5 V的范围
用低ESR陶瓷电容器稳定
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