高压肖特基二极管，制造中采用的主要工艺技术有：硅外延衬底、Ｐ＋环技术、势垒金属与硅的合金技术，器件采用双芯片、共阴极，塑料半包封结构。
1.很好的高温特性
2.半桥整流、共阴结构
3.较低的漏电流和正向电压
4.多层金－半硅势垒结构，多数载流子导电
5.有过压保护环，高可靠性
6.环保（ROHS）产品
额定值（Tc＝25℃）
◆ 低压续流电路和保护电路
◆ 低压高频开关电源
◆ 低压高频逆变电路
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