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  mos管mos管 的供应商是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体半导体 的供应商(semiconductor)场效应晶体管晶体管 的供应商

基本特点

  众所周知,我们的PC主机上所用的处理器都是低电压大功率的零件,按不同的CPU种类功率从几十到上百瓦,而电压却只有一点多到二点多伏。通过了解,我们知道主机电源供应器的电压输出均没有这么低的输出电压,而我们常用的主板CPU主供电是由一对MOS管组成的开关电路降压得来的。所谓MOS管,就是绝缘栅极场效应三极管,分为N沟道和P沟道(主板上一般用N沟道的MOS管),而每种沟道的管子的类型又分成增强型和耗尽型两种。在此我们只简单介绍N沟道MOS管的工作特点:管子有三个极,从沟道的两端分别引出两个电极,称为源极(S极)和漏极(D极),另外一个则称为栅极(G极)。当栅源两极之间的电压绝对值 |Ugs| =0时,漏源之间已经存在导电沟(D与S之间可以导通)的为耗尽型,而当栅源两极之间的电压绝对值 |Ugs| >0时漏源之间才存在导电沟的则是增强型的管子。下面我门根据MOS管的基本特性简单说明下CPU的供电电路原理。

工作原理

  场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。

性能参数

  优质的MOS管能够承受的电流峰值更高。一般情况下我们要判断主板上MOS管的质量高低,可以看它能承受的最大电流值。影响MOS管质量高低的参数非常多,像极端电流、极端电压等。但在MOS管上无法标注这么多参数,所以在MOS管表面一般只标注了产品的型号,我们可以根据该型号上网查找具体的性能参数。

  还要说明的是,温度也是MOS管一个非常重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的提高,MOS管需要承受的电流也随着增强,提供近百A的电流已经很常见了。如此巨大的电流通过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的安全,高品质主板也开始为MOS管加装散热片了。

  在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。

主要作用

  目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多,一般有10个左右,主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压,所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管,而内存插槽则共用了一组MOS管,MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。

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