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瓷介电容
阅读:5053时间:2010-12-15 10:43:34

  瓷介电容是一种主体为标准独石结构的电容器,在高频和低频电路中都可适用。引出端用可焊接的金属或合金制成,高频与非高频瓷介电容有明显的标志区别。

分类

  瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率,在低压低功率中又可分为I型(CC型)和II型(CT型)。

  I型(CC型)特点是体积小,损耗低,电容对频率,温度稳定性都较高,常用于高频电路。

  II型(CT型)特点是体积小,损耗大,电容对温度频率,稳定性都较差,常用于低频电路。

制造工序

  据《GJB192A瓷介电容器总规范》规定,瓷介电容技术的工序应该包括但不限于下列工序

  a 原材料的配料与混合

  b 介质片的制造

  c 叠片和印制电极

  d 层压和切块

  e 芯片烧结

  f 端电极涂镀

  g 包装

参数举例

  CT1型圆形瓷片低频电容

  环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差:101—472 (+-10%)472-403(+80-- -20%)

  CC01圆形瓷片电容:

  环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg

  允许偏差:5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)

  温度系数:1—4P +120(+-60)PPM  4—56P –47(+-60)PPM

  56—180P –750(+-250)PPM

  180—390P –1300(+-250)PPM

  430—820P –3300(+-500)PPM

  CT01圆形瓷片电容:

  环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻:1000mohm

  允差:+80 -20%容量:1000-47000p

  工作电压:63v 试验电压:200v

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