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晶片
阅读:26423时间:2010-12-10 12:00:12

  晶片又称芯片,英文叫做CHIP,它是制作LED LAMP。 DISPLAY, BACKLIGHT LED LED 的主要材料,由磷化镓(GaP),镓铝砷(GaAlAs),或砷化镓(GaAs),氮化 镓(GaN)等材质组成,其内部结构为一个 PN 结,具有单向导电性。晶片是LED最主要的原物料之一,是LED的发光部件,LED最核心的部分,晶片的好坏将直接决定LED的性能。

结构

  1.电极的材质:铝或金

  2.焊单线晶片上面电极外形:

  3.焊单线晶片下面电极的外形

  4.晶片的颜色:红色不透明,红色透明,暗红色,黑色,白色透明 等

  5.晶片尺寸定义:以晶片底部尺寸较大的那条边尺寸为准

  6.焊单线晶片电极特性:正极性晶片及反极性晶片

  7.晶片电极的连接及对发光的影响

  (1) 上面电极用来焊接金线或铝线,电极太大会影响发光效率,电极太小使电流 不能流到晶片全体,同样也会影响发光效率。

  (2) 下面电极通过银胶与支架或 PCB 接触,它是用来使电流均匀流到晶片内,下 面电极有圆形,格子状或全面电极,全面电极导电性好,但对光的吸收要太 于前两种形状。

主要参数

  1.伏安特性

晶片的伏安特性

  2.顺向电压(VF):施加在晶片两端,使晶片正向导通的电压。此电压与晶片 本身有关,与测试电流也有关。顺向电压过大,会使晶片被击穿。单位:V

  3.顺向电流(IF):晶片在施加一定电压后,所产生的正向导通电流。 顺向电流的大小,与顺向电压的大小有关。晶片的工作电流在 10-20mA 左右。单 位:mA

  4.反向电压(VR):施加在晶片上的,晶片保持截止状态的电压。

  5.反向电流(IR):指的是晶片施加反向电压所产生的电流,此电流越小越好。 此电流过大容易造成反向击穿。

  6.亮度(IV):指的是光源的明亮程度。 单位换算:1cd=1000mcd 1mcd=1000cd 7.波长(HUE):反映晶片发光颜色。单位:nm 波长不同晶片,其发光颜色不同。

  8.不同波长光的定义

  (1)波长大于 0.1mm 电波

  (2)760 nm –0.1mm 红外光

  (3)380 nm -760nm 可见光

  (4)10 nm-380 nm 紫外光

检测

  1、来料资料有无规格书(没有规格书不建议盲目的去实验);

  2、来料的芯片参数(亮度、电压、波长等)是否符合规格要求,外观(电极位置)是否与规格书上相同;

  3、尺寸测量:需要采用精确的高倍显微镜进行测量,实际尺寸是否符合要求;包括芯片的长、宽、高、电极大小等

  4、电性检测:VF、IV、WL、IR、极性等实际测试是否符合要求。此项有很多厂商没有条件测试,建议在试做过程中去做成成品测试(但极性先进行确认)。

材料及制作方法

晶片材料及制作方法

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